La Chine Puce de circuit intégré

UG4SC075009K4S Puce de circuit intégré 1200V 8,8mΩ Transistor FET SiC à double porte

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Puissance de la puce de circuit intégré NVMFWS3D0P04M8LT1G MOSFET Transistors à canal P unique 40V 28A

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Puissance des transistors uniques

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Puce de circuit intégré RGS60NL65DHRBTL IGBT Trench Field Stop 650V 59A 228W Transistors

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Puce de circuit intégré IGP20N65H5XKSA1 650V 42A 125W Transistors IGBT à grande vitesse

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Puce de circuit intégré IXYH55N120C4H1 IGBT Trench 1200V 126A 650W Transistors simples

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Puce de circuit intégré RGW00TS65DHRC11 IGBT Trench Field Stop 96A 254W Transistors TO-247-3

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Puce de circuit intégré NTMFD5C650NLT1G Mosfet Array 21A Transistors N-Channel 8-DFN

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Puce de circuit intégré IPLK80R2K0P7 Amélioration 800V Transistors Monture de surface

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Puce de circuit intégré SH68N65DM6AG Mosfet Array 650V 64A Transistors simples

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Puce de circuit intégré IQD020N10NM5CG 107nC OptiMOS Transistors à 5 canaux N

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La valeur de l'indicateur d'échantillonnage doit être supérieure ou égale à la valeur de l'indicateur d'échantillonnage.

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Puce de circuit intégré

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