La Chine Puce de circuit intégré

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  IKZA50N75EH7 Circuit intégré à faible tension de saturation 750V 50A Transistors IGBT simples

  Quantité de commande min:10

  Prix:Contact for Sample

  Détails d'emballage:Package standard

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  CSD18531Q5A 60V 100A 4,6 mOhms NexFET de puissance à N-canal MOSFET puce de circuit intégré

  Numéro de pièce:CSD18531Q5A

  Vds - tension claque de Drain-source:60 V

  Identification - courant continu de drain:100 A

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  Chip de circuit intégré BSC320N20NS3G Transistor MOSFET de puissance OptiMOSTM à canal N de 200 V avec courant de vidange continu de 36 A et résistance à la source de vidange de 32 mOhms

  Numéro de pièce:BSC320N20NS3G

  Vds - Tension de claquage drain-source ::Pour l'électricité

  Id - Courant de drain continu ::36 A

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  IKWH100N75EH7 Circuit intégré - Puce à faible tension de saturation 750V 100A Transistors IGBT simples

  Quantité de commande min:10

  Prix:Contact for Sample

  Détails d'emballage:Package standard

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  FDMF3172 Module de phase de puissance intelligente avec courant de sortie 55A 9ns Temps de montée 6ns Temps de chute Half Bridge Driver

  Numéro de pièce:Le FDMF3172

  Courant de sortie:55 A

  Temps de montée:9 NS

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  ISL3179EIBZ Circuit intégré 40Mbps 3.3V Émetteur-récepteur RS-485/RS-422 avec charge unitaire 1/5 pour communication à haut débit

  Numéro de pièce:ISL3179EIBZ

  Fonction::Émetteur-récepteur

  Nombre de conducteurs ::1 conducteur

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  ISL9113ERAZ Circuit intégré à puce Convertisseur de dynamisme synchrone de 0,8 V à 4,7 V Plage de tension d'entrée 500mA Courant de sortie et courant de repos bas de 20 uA

  Numéro de pièce:ISL9113ERAZ

  Plage de tension d'entrée:0.8V à 4.7V

  Courant de sortie:Jusqu'à 500mA

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  TMA0505S Convertisseur DC DC miniature isolé de 1 W avec sortie 5 VDC et courant 200 mA

  Numéro de pièce:TMA0505S

  Tension de sortie:5 volts continu

  Puissance nominale:1 W

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  BTS6142D puce de circuit intégré à 1 canal 12mΩ Smart High-Side Power Switch avec 7 A de courant de sortie

  Numéro de pièce:BTS6142D

  Nombre de sorties::1 sortie

  Courant de sortie::7 A

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  NGTB40N120FL2WG Transistor IGBT 1200V 80A 535W avec technologie d'arrêt de champ de tranchée pour les onduleurs solaires et les UPS

  Numéro de pièce:NGTB40N120FL2WG

  Voltage du collecteur-émetteur VCEO Max::1,2 kV

  Tension de saturation de collecteur-émetteur ::2 V

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  IPD60R600P7 puce de circuit intégré N-canal 600V CoolMOSTM P7 Transistors MOSFET de puissance

  Numéro de pièce:IPD60R600P7

  Type FET:Channel n

  Voltage d'évacuation à la source (Vdss):600 V

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  LT8645SIV puce de circuit intégré synchrone step down silencieux commutateur 2 Buck régulateur

  Quantité de commande min:10

  Prix:Contact for Sample

  Détails d'emballage:Paquet standard

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