La Chine Mémoire IC Puce

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  Puce de mémoire IC MT44K16M36RB-093F:B 1.066GHz DRAM Puce de mémoire IC BGA168 Surface Mount

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  Puce à mémoire IC S70KS1282GABHA020 Puce à mémoire DRAM à auto-actualisation CMOS haute vitesse

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  IC de mémoire Chip KHBA84A03C-MC1H hautement performant HBM3 Icebolt 16G DRAM IC de mémoire

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  Puce à mémoire IC K4U8E3S4AD-GHCL 8Gbit LPDDR4X DRAM Puce à mémoire IC IC pour appareils mobiles

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  La carte mémoire est une carte mémoire de type micro-ondes, dont la capacité est supérieure ou égale à celle de la carte mémoire de type micro-ondes.

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  IC de mémoire Chip K4U8E3S4AD-GUCL 8Gbit DRAM IC de mémoire pour appareils mobiles

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  Puce de mémoire IC K3UH5H50AM-JGCL 32Gbit LPDDR4X DRAM Pour les appareils mobiles

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  La capacité de charge est supérieure ou égale à la capacité de charge de l'appareil.

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  Puce de mémoire IC MT53E1G32D2FW-046 AAT A 32Gbit SDRAM parallèle mobile LPDDR4X Puce de mémoire IC 2,133 GHz

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  Chip IC de mémoire MT53E2G32D4DE-046 AIT A SDRAM-Mobile LPDDR4X IC de mémoire 2,133 GHz 3,5 ns 64Gbit parallèle

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  Les IC ébrèchent MT53E512M32D1ZW-046 AAT : Mémoire SDRAM-mobile IC de B 16Gbit LPDDR4X

  Numéro de la pièce:MT53E512M32D1ZW-046 AAT : B

  Technologie:SDRAM - LPDDR4X mobile

  Temps de cycle d'écriture - mot, page:18ns

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  La carte mémoire est une carte mémoire de type VFBGA-200.

  numéro de pièce:MT5E256M32D2FW-046 WT:B

  Organisation du projet:256 M X 32

  Température de fonctionnement minimale:-25°C (COMITÉ TECHNIQUE)

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