Numéro de pièce:S70KS1282GABHA023
Tension d'alimentation (minute):1.7V
Température de fonctionnement (minute):-40°C (VENTRES)
Numéro de pièce:S80KS2562GABHA023
Technologie:DRACHME 25-nm
Gamme de température de fonctionnement - industrielle plus (v):– °C 40 au °C +105
Numéro de pièce:S70KS1282GABHV020
Courant d'approvisionnement - maximum:60 mA
Temps d'accès:35 ns
Numéro de pièce:S70KL1283GABHV020
Finition de boule d'avance:N/A
Interfaces:xSPI (octal)
Numéro de pièce:S27KS0642GABHB020
Organisation de la mémoire:8M x 8
Largeur de bande d'interface:400 MByte/s
Numéro de pièce:S27KS0643GABHA023
Temp maximal de ré-écoulement:°C 260
Interface de mémoire:SPI - Entrée-sortie octale
Numéro de pièce:S70KL1282GABHB020
Écrire le temps du cycle - mot, page:35ns
Appui d'interface:1,8 V/3,0 V
Numéro de pièce:S27KL0642GABHI030
Technologie:PSRAM (pseudo SRAM)
Type de mémoire:Les produits de base
Numéro de pièce:S80KS2563GABHM023
Catégorie de produits:DRAM
Technologie:PSRAM (pseudo SRAM)
Numéro de la partie:CY7C1441KV33-133AXI
Temps d'accès:6,5 NS
Voltage - alimentation:3.135V | 3.6V
Numéro de pièce:S70KS1283GABHB020
Signaux d'autobus:11
Bus de données:8 bits
Numéro de la partie:MT29F2G08ABAGAWP-ITE : G
Lecture aléatoire:25µs
Programme de page:300µs (TYPE)