Numéro de pièce:S80KS2562GABHI020
(i) industriel:-40°C à +85°C
Appui d'interface:1,8 V/3,0 V
Numéro de pièce:S80KS5123GABHI020
Taille de mémoire:512 Mbit
Fréquence du signal d'horloge maximum:200 MHz
Numéro de pièce:S27KS0642GABHM023
Technologie:PSRAM (pseudo SRAM)
L'éclat a lu ou écrit:30 mA
Numéro de pièce:S70KS1282GABHV023
Appui d'interface:1,8 V/3,0 V
Température de fonctionnement (minute):-40°C (VENTRES)
Numéro de pièce:S27KS0642GABHB023
Technologie:DRACHME 38-nm
DRAM:38-nm
Numéro de pièce:S70KL1282GABHB030
Longueurs éclatées enveloppées:128 octets (64 horloges)
Éclat linéaire:Mb 64
Numéro de pièce:S80KS2563GABHI023
Programme:50
Le DTS a lu:50 MHz
Numéro de pièce:S80KS5123GABHV023
Interface:interface (octale) de xSPI
Chaîne de température de fonctionnement - (i) industriel:– °C 40 au °C +85
Numéro de pièce:S70KS1282GABHM023
Interface de mémoire:HyperBus
Technologie:Pseudo SRAM
Numéro de pièce:S80KS2563GABHI020
Longueurs éclatées enveloppées:16 octets
Plus industriel:-40°C à +105°C
Numéro de pièce:S26HS512TGABHI013
Consommation actuelle lecture/écriture éclatée:22mA/25mA
Remplaçant:µA 360
Numéro de pièce:S80KS5123GABHB023
Largeur de bus de données:bit 8
Organisation:8 M X 8