Numéro de la pièce:IMW120R014M1H
Vgs - tension de Porte-source:- 10 V, + 23 V
Qg - charge de porte:110 OR
Numéro de la pièce:IMYH200R075M1H
Montage du style:Par le trou
Paquet/cas:PG-TO247-4
Numéro de la pièce:IMBG65R083M1H
Technologie:SiCFET (carbure de silicium)
Tension d'entraînement:18v
Numéro de la pièce:IMZA65R027M1H
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:2131 PF @ 400 V
Série:CoolSiC™
Numéro de la pièce:IMBG65R030M1H
Canaux:1
Vds:650 V
Numéro de la pièce:IMBG65R107M1H
Entraînement de la tension:0V-18V
Pertes de changement inférieures:4 fois
Numéro de la pièce:IMZ120R140M1H
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:182mOhm @ 6A, 18V
Dissipation de puissance (maximum):94W (comité technique)
Numéro de la pièce:IMBG120R090M1H
Qg - charge de porte:23 OR
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:125 mOhms
Numéro d'article:215-130000026
Port de mise en service:JTAG
Température de fonctionnement (Min):-40°C
Numéro de la pièce:CY8C6144AZI-S4F92
Largeur du bus de données:32 bits
Fréquence d'horloge maximale:150 mégahertz
Numéro de la pièce:ICE3BR0665JZ
Tension - panne:650V
Fréquence de changement intérieurement fixe:65kHz
Numéro de la pièce:TRF37B32IRTVR
N-F - Chiffre de bruit:DB 9,2
Fréquence LO:2900 mégahertz