La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré FDBL86210-F085 N-Channel 150V 169A Transistors MOSFET simples

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Puce de circuit intégré NTMFD5C680NLT1G N-Channel Mosfet Array 60V Transistors MOSFET

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Puce de circuit intégré NVDS015N15MCT4G Transistors MOSFET N-Channel 150V TO-252-3

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Puce de circuit intégré NVH4L110N65S3F Transistors MOSFET simples à canal N 650V 30A

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Puce de circuit intégré NTMT064N65S3H N-canal 650V 40A MOSFET Transistors 4-TDFN

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Puce de circuit intégré NVMFWS015N10MCLT1G Transistors MOSFET simples à canal N 100V 10,5A

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Puce de circuit intégré IPW65R155CFD7 650V Transistors MOSFET TO247 Paquet

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Les circuits intégrés IPZ60R017C7 et les transistors MOSFET

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Transistors 6-UDFN de transistor MOSFET de fossé de N-canal de la puce BUK6D30-40EX 40V de circuit intégré

Numéro de la partie:BUK6D30-40EX

Configuration:Unique

Temps d'automne:33 NS
Transistors 6-TSOP de transistor MOSFET de P-canal de la puce PMN100EPAX 60V de circuit intégré

Numéro de la partie:PMN100EPAX

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:130 mOhms

Pd - Dissipation de l'énergie:1,7 W
Paquet des transistors 20V DFN de transistor MOSFET de fossé de P-canal des transistors BUK4D122-20PX

Numéro de la partie:BUK4D122-20PX

Temps de retard d'ouverture (type):5ns

Courant de source (Tamb = °C) 25 - maximum:-1.9A
Transistors 8-PowerTDFN de transistor MOSFET de N-canal de la puce NTMTS0D7N04CTXG de circuit intégré

Numéro de la partie:NTMTS0D7N04CTXG

Type de FET:N-canal

Temps d'automne:NS 20,4

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