La Chine Puce de circuit intégré

Paquet des transistors 20V DFN de transistor MOSFET de fossé de P-canal des transistors BUK4D122-20PX

Numéro de la partie:BUK4D122-20PX

Temps de retard d'ouverture (type):5ns

Courant de source (Tamb = °C) 25 - maximum:-1.9A
Transistors 8-PowerTDFN de transistor MOSFET de N-canal de la puce NTMTS0D7N04CTXG de circuit intégré

Numéro de la partie:NTMTS0D7N04CTXG

Type de FET:N-canal

Temps d'automne:NS 20,4
Les circuits intégrés IPN95R3K7P7 N-Channel 950V 2A MOSFET Transistors

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Puce de circuit intégré IPN50R2K0CE 500V 3.6A 5W Transistors MOSFET N-Channel

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Les transistors MOSFET utilisés pour les circuits intégrés UJ4C075023B7S

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Puce de circuit intégré NVMFS5C442NLAFT1G Transistors MOSFET N-Channel

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IPB085N15NM6 puce de circuit intégré 90A Transistors MOSFET de puissance

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IPP057N15NM6 puce de circuit intégré OptiMOS 6 Puissance MOSFET Transistors TO220-3

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IPF036N15NM6 puce de circuit intégré 150V 190A Puissance MOSFET Transistors D2PAK-7

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IPB051N15NM6 puce de circuit intégré MOSFET Transistors 150V OptiMOS 6 Transistors de puissance

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Chip de circuit intégré IPW60R099CM8 600V 87A CoolMOS 8 Transistors MOSFET de puissance

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Chip de circuit intégré IPW60R024CM8 600V 359A CoolMOS 8 Transistors MOSFET de puissance

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