La Chine Puce de circuit intégré

20-SOIC isolant extérieur de la Manche 100Mbps SPI Digital du bâti ISOW7721FDFMR 5000Vrms 2

Numéro de la pièce:ISOW7721FDFMR

Temps de hausse/automne (type):2.5ns, 2.4ns

Déformation de durée d'impulsion (maximum):5ns
Bâti extérieur d'usage universel de l'isolant 16-SOIC de MAX22444CAWE+ 200Mbps Digital

Numéro de la pièce:MAX22444CAWE+

Temps maximum d'automne:3 NS

Temps de montée maximum:2,4 NS
Isolant 20-SOIC 100Mbps de Digital de la Manche de quadruple de la puce ISOW7740FDFMR de circuit intégré

Numéro de la pièce:ISOW7740FDFMR

Débit:100Mbps

TpLH/tpHL de retard de propagation (maximum):15.7ns, 15.7ns
puce de circuit intégré de l'isolant MAX22166CAEE+ de Digital de la Manche 3000Vrms 6

Numéro de la pièce:MAX22166CAEE+

Entrées - côté 1/Side 2:6/0

Polarité:Unidirectionnel
Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Numéro de la pièce:IMZ120R030M1H

Série:CoolSiC™

Type de FET:N-canal
Sic transistors TO-263-8 1700V de transistors MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBF170R1K0M1 de fossé

Numéro de la pièce:IMBF170R1K0M1

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Vgs (maximum):+20V, -10V
Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Numéro de la pièce:IMZA65R048M1H

VGS:-5 - 23 V

courant de fuite de Porte-source:Na 100
Transistors simples TO-247-4 de FETs de transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET IMZ120R220M1H de CoolSiC

Numéro de la pièce:IMZ120R220M1H

Paquet:TO-247-4

Compte de Pin:4 bornes
650V FETs simples des transistors MOSFET TO-247-3 de carbure de silicium de N-canal des transistors IMW65R057M1H

Numéro de la pièce:IMW65R057M1H

VDS@TJ =25°C:650V

Le RDS (dessus), type:57mΩ
les microcontrôleurs 32Bit CY8C4147AXI-S455 à un noyau ébrèchent des puces de TQFP64 48MHz IC

Numéro de la pièce:CY8C4147AXI-S455

Fréquence du signal d'horloge maximum:48 MHz

Résolution de CDA:10 mordus, 12 mordus
IC Chip MAX 86916EFD+T ont intégré le module optique de capteur pour la santé mobile

Numéro de la pièce:MAX86916EFD+T

Sous-catégorie:Capteurs

Courant très réduit d'arrêt:0.7μA
Module de biocapteur de Photoplethysmogram intégré par MAX86150EFF+T et d'électrocardiogramme

Numéro de la pièce:MAX86150EFF+T

Statut de produit:Actif

Type de sortie:² C D'I

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Bâti extérieur d'usage universel de l'isolant 16-SOIC de MAX22444CAWE+ 200Mbps Digital

Isolant 20-SOIC 100Mbps de Digital de la Manche de quadruple de la puce ISOW7740FDFMR de circuit intégré

puce de circuit intégré de l'isolant MAX22166CAEE+ de Digital de la Manche 3000Vrms 6

Transistors TO-247-4 de N-canal de carbure de silicium de la puce IMZ120R030M1H de circuit intégré

Sic transistors TO-263-8 1700V de transistors MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBF170R1K0M1 de fossé

Paquet simple du transistor MOSFET 650V 20A 75W TO-247-4 de FET des transistors IMZA65R048M1H

Transistors simples TO-247-4 de FETs de transistor MOSFET de carbure de silicium du transistor MOSFET IMZ120R220M1H de CoolSiC

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