La Chine Puce de circuit intégré

Puissance de la puce de circuit intégré NVMFWS0D5N04XMT1G MOSFET Transistors à canal N unique 8-DFN

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Puce de circuit intégré IXXX160N65C4 650V Puce extrêmement légère à travers les transistors IGBT

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Puce de circuit intégré RGTV80TK65DGVC11 IGBT Trench Field Stop 650V 39A 85W Transistors

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Packaging Details:Standard package
Puce de circuit intégré NTH4LN095N65S3H Transistors d'amélioration automobile TO-247-4

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Transistor MOSFET de fossé des transistors IMW120R030M1H CoolSiC 1200V de N-canal sic en paquet TO247-3

Numéro de pièce:IMW120R030M1H

Série:CoolSiC™

Type de FET:N-canal
Puits intégré NVMFS5C612NLWFAFT1G N-Channel 60V 250A 167W Transistors de puissance 5-DFN

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Puce de circuit intégré STGWA40H65DHFB2 650V IGBT Trench Field Stop Transistors uniques

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Puce de circuit intégré NVMTSC4D3N15MC Transistors simples d'amélioration automobile

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Puce de circuit intégré NVMFS5C645NLWFAFT1G N-Channel 60V 22A 79W Transistors automobiles

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Puce de circuit intégré NTMFS002P03P8ZT1G P-Channel 30V 40.2A 3.3W Transistors 5-DFN

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Puce de circuit intégré IPB014N04NF2S Transistors à amplification de canal unique de 188 W

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Puce de circuit intégré NTMYS8D0N04CTWG 40V 49A Transistors à N-canal de renforcement

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