La Chine Puce de circuit intégré

JANTXVP2N2222AUB Circuit intégré Puce durcie aux radiations Transistor de commutation NPN au silicium

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JANSR2N7589U3 Puce de circuit intégré 150V Transistors MOSFET à radiation durcie N-Channel

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JANSR2N7584T1 Circuit intégré, puce 200V 45A MOSFET de puissance à canal N, transistors simples

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JANSF2N7587U3 Circuit intégré - Puce 100V MOSFET à canal N durci aux radiations

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Puce de circuit intégré JANS1N6316DUS Haute fiabilité Diodes Zener simples en verre 500mV

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Puce de circuit intégré APT75GP120JSC30 Transistors IGBT de puissance 1200V 75A avec diode SiC

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APT25GP120BSC15 Puce de circuit intégré 1200V 69A 417W Transistors IGBT uniques TO-247-3

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Puce de circuit intégré APT15DQ100BGVAO 1000V 15A Diode redresseur à récupération douce ultra-rapide

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JANSU2N2907AUB Circuit intégré puce 60 V 600 mA 500 mW PNP Transistors bipolaires simples

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JANSU2N2222AUB Transistor à commutation au silicium NPN à puce de circuit intégré

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