La Chine Puce de circuit intégré

IPW65R060CM8 puce de circuit intégré 650V CoolMOSTM 8 Transistors de puissance N-Channel TO-247-3

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Chip de circuit intégré IPW65R025CM8 CoolMOSTM 8 Transistors de puissance N-Channel pour serveur

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
IPT65R025CM8 puce de circuit intégré 650V CoolMOSTM 8 Transistors de puissance pour la recharge de véhicules électriques

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
IPW65R018CM8 puce de circuit intégré 650V 116A CoolMOSTM 8 transistors de puissance N-canal

Quantité de commande min:10

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré IKY75N120CH7XKSA1 IGBT avec la diode antiparallèle TO-247-4

Numéro de la pièce:IKY75N120CH7XKSA1

Actuel - collecteur (IC) (maximum):83 A

Puissance - maximum:549 W
L'automobile FFSP1065B-F085 ébrèche la diode de Schottky de redresseur de carbure de silicium de TO-220-2 650V

Numéro de la pièce:FFSP1065B-F085

Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum):650 V

Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si:1,7 V @ 10 A
L'automobile FFSH5065B-F085 ébrèche la diode de Schottky de carbure de silicium de TO-247-2 50A 650V

Numéro de la pièce:FFSH5065B-F085

Paquet/cas:TO-247-2

Température de fonctionnement - jonction (minute):-55°C
l'automobile 1200V ébrèche le bâti de surface de la diode 32A de FFSB20120A-F085 TO-263 Schottky

Numéro de la pièce:FFSB20120A-F085

Énergie simple d'avalanche d'impulsion:200mJ

Dissipation de puissance (comité technique = 25°C):333W
puces d'automobile de la diode TO-263-3 de Schottky de carbure de silicium de 20A FFSB2065B-F085

Numéro de la pièce:FFSB2065B-F085

Capacité @ Vr, F:866pF @ 1V, 100kHz

Température de fonctionnement - jonction (minute):-55°C
Chips de circuit intégré IKQ120N60T Transistors IGBT avec diode anti-parallèle dans le paquet TO-247

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré IHW20N120R5 Transistors IGBT 20A 1200V avec diode antiparallèle

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré IKZA75N65SS5 650V 75A IGBT discrète avec diode Schottky au carbure de silicium

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard

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