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Numéro de la partie:IMZA65R083M1H
Courant d'impulsion de diode:143 A
Diode continue en avant actuelle:53 A
Numéro de la partie:IMBG65R260M1H
Mode de la Manche:Amélioration
Catégorie de produits:Transistor MOSFET
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Numéro de la partie:NTMYS5D3N04CTWG
Transconductance en avant - minute:53 S
Type de transistor:1 canal N
Numéro de la partie:NTMFS6H818NLT1G
Pd - Dissipation de l'énergie:140 W
Résistance de Drain-source:3,2 mOhms
Numéro de la partie:MT29F4G08ABAFAWP-IT : F
Organisation du projet:512 M x 8
Taille de mémoire:4 Gbit
Numéro de la partie:IXBH20N360HV
Tension - panne de collecteur-émetteur:3600 V
Actuel - collecteur:70 A
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