La Chine Puce de circuit intégré

Puits de circuit intégré IGO60R070D1 600 V CoolGaNTM Transistor de puissance en mode E

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré ISC012N04LM6 Transistor à amplification unique haute performance

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce simple de circuit intégré des transistors 900V TO-247-3 des FETs NTHL020N090SC1

Numéro de la partie:NTHL020N090SC1

Courant pulsé de drain (MERCI = 25°C):472A

Charge très réduite de porte:QG (doigt) = 196 OR
Transistors simples de transistors MOSFET du N-canal 650V 24A de la puce IPP65R099CFD7AAKSA1 d'IC

Numéro de la partie:IPP65R099CFD7AAKSA1

Vgs (maximum):± 20 V

Dissipation de puissance (maximum):127W (comité technique)
PG-TO263-7-11 transistors simples extérieurs du bâti IPBE65R145CFD7AATMA1 650V

Numéro de la partie:IPBE65R145CFD7AATMA1

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:17A (comité technique)
Puce de circuit intégré des transistors NTPF082N65S3F TO-220F-3 650V de N-canal de puissance

Numéro de la partie:NTPF082N65S3F

Mode de la Manche:Amélioration

Type de transistor:1 transistor MOSFET de SuperFET III de N-canal
DOUBLE puce FRAÎCHE de circuit intégré des transistors 8-PQFN du N-canal NTMFSC0D9N04CL

Numéro de la partie:NTMFSC0D9N04CL

Taille:5mm x 6mm

Polarité de transistor:N-canal
Transistors extérieurs de bâti de la puce IPBE65R230CFD7AATMA1 de circuit intégré

Numéro de la partie:IPBE65R230CFD7AATMA1

Type de FET:N-canal

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:1044 PF @ 400 V
Puce de circuit intégré des transistors FCH060N80-F155 800V TO-247-3 de N-canal

Numéro de la partie:FCH060N80-F155

Type. Le RDS (dessus):54 m

Charge très réduite de porte:Type. Qg = 270 OR
N-canal par la puce de circuit intégré des transistors IPP60R040S7XKSA1 de trou

Numéro de la partie:IPP60R040S7XKSA1

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:40 mOhms

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:4.5 V
Transistors extérieurs de transistors MOSFET de bâti de la puce IPQC60R017S7XTMA1 de circuit intégré

Numéro de la partie:IPQC60R017S7XTMA1

Qg - charge de porte:196 OR

Température de fonctionnement minimale:- Quarante degrés
Transistors électroniques du N-canal 600V 14A des circuits intégrés IPQC60R040S7XTMA1

Numéro de la partie:IPQC60R040S7XTMA1

Vgs (maximum):± 20 V

Tension d'entraînement:12 V

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