La Chine Puce de circuit intégré

TO-247-3 Trou traversant IXYH55N120C4 1200V 140A 650W Transistors IGBT simples

Numéro de la pièce:IXYH55N120C4

Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:1,2 kilovolts

Tension de saturation de collecteur-émetteur:2,5 V
Paquet électronique des transistors TO-247-3 des circuits intégrés IXYH85N120C4 IGBT

Numéro de la pièce:IXYH85N120C4

Poids:6 g

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors IXYX110N120A4 de 1200V IGBT par le trou

Numéro de la pièce:IXYX110N120A4

Condition d'essai:600V, 50A, 1.5Ohm, 15V

Paquet de dispositif de fournisseur:TO-247 (IXTH)
Puce simple de circuit intégré des transistors 1200V de TO-263-3 IXYA20N120B4HV IGBTs

Numéro de la pièce:IXYA20N120B4HV

Paquet/cas:TO-263HV-3

Série:GenX4™, XPT™
transistors discrets simples de semi-conducteur de 1200V 175A IGBTs IXYH55N120A4

Numéro de la pièce:IXYH55N120A4

Type d'IGBT:Pinte

Statut de produit:Actif
Puce extérieure du bâti IXYA20N120A4HV TO-263-3 IC de transistors simples d'IGBTs

Numéro de la pièce:IXYA20N120A4HV

Poids spécifique:2,500 g

Type d'entrée:Norme
Haute tension de la puce 2500V de circuit intégré des transistors IXYH16N250CV1HV TO-247-3 d'IGBTs

Numéro de la pièce:IXYH16N250CV1HV

Résistance d'entrée de porte:5.8Ω

Charge inductive maintenue:1500V
650V puce simple de circuit intégré des transistors TO-247-3 des transistors IXXX140N65B4H1 IGBTs

Numéro de la pièce:IXXX140N65B4H1

Type de produit:Transistors IGBT

Palladium - dissipation de puissance:1,2 kW
Transistors simples d'IGBTs de bâti extérieur de la puce IXBT14N300HV de circuit intégré

Numéro de la pièce:IXBT14N300HV

Palladium - dissipation de puissance:200 W

Technologie:SI
Transistors TO-220-3 10kHz IGBTs simple de la puce IXYP60N65A5 650V IGBT de circuit intégré

Numéro de la pièce:IXYP60N65A5

Série:XPT™, GenX5™

Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC:1.35V @ 15V, 36A
Puce de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé des transistors RGT40TS65DGC13 IGBT TO-247-3

Numéro de la pièce:RGT40TS65DGC13

Palladium - dissipation de puissance:144W

Courant en avant de diode (comité technique = 25°C):35A
Transistors simples d'IGBT IXYX40N250CHV TO-247-3 par la puce de circuit intégré de trou

Numéro de la pièce:IXYX40N250CHV

Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées):380 A

Énergie de changement:11.7mJ (dessus), 6.9mJ ()

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