La Chine Puce de circuit intégré

puce simple de circuit intégré des transistors SCTW70N120G2V de transistors MOSFET de 1200V 91A

Numéro de la pièce:SCTW70N120G2V

Tension de seuil de Porte-source:4,9 V

Qg - charge de porte:150 OR
Transistors du N-canal 153W de la puce SCT20N120AG de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:SCT20N120AG

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:239mOhm @ 10A, 20V

Vgs (maximum):+25V, -10V
Transistors électroniques de N-canal des circuits intégrés SCTW35N65G2VAG par le trou

Numéro de la pièce:SCTW35N65G2VAG

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:1370 PF @ 400 V

Température de fonctionnement:-55°C | 200°C (TJ)
Transistors TW083N65C, puce TO-247-3 de carbure de silicium de N-canal de circuit intégré de S1F

Numéro de la pièce:TW083N65C, S1F

Catégorie de produit:Transistor MOSFET

Qg - charge de porte:21 OR
Puce TW140N120C, N-canal simple de circuit intégré des transistors TO-247-3 de FETs de S1F

Numéro de la pièce:TW140N120C, S1F

Vds - tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Montage du style:Par le trou
Transistors extérieurs du bâti 650V 45A de la puce SCTH35N65G2V-7AG de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTH35N65G2V-7AG

Mode de la Manche:Amélioration

Configuration:Simple
Transistors simples extérieurs du N-canal 650V 45A 208W du bâti SCTH35N65G2V-7

Numéro de la pièce:SCTH35N65G2V-7

VDSS:650 V

Tension d'entraînement:18V, 20V
Transistors de bâti de surface de N-canal de la puce SCTH40N120G2V-7 de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTH40N120G2V-7

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:5 V
Transistors TO-247-3 de N-canal de la puce SCT10N120AG 1200V 12A de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCT10N120AG

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Température de fonctionnement maximum:+ 200 C
Transistors simples TW030N120C, puce TO-247-3 de transistors MOSFET de FETs de circuit intégré de S1F

Numéro de la pièce:TW030N120C, S1F

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:2925 PF @ 800 V

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:82 OR @ 18 V
Transistors TW015N65C, transistors de N-canal de la puce TO-247-3 de circuit intégré de S1F

Numéro de la pièce:TW015N65C, S1F

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Capacité d'entrée:4850pF
Puce TW048N65C, transistors de circuit intégré de N-canal de carbure de silicium de S1F TO-247-3

Numéro de la pièce:TW048N65C, S1F

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:5V @ 1.6mA

Temps de montée:43 NS

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