La Chine Puce de circuit intégré

Transistors simples du N-canal 650V 39A IMW65R048M1HXKSA1 de puce de circuit intégré

Numéro de la pièce:IMW65R048M1HXKSA1

Type de FET:N-canal

Statut de produit:Actif
Bâti extérieur des transistors IPB65R115CFD7AATMA1 TO-263-3 du N-canal 650V 21A 114W

Numéro de la pièce:IPB65R115CFD7AATMA1

Tension d'entraînement:10V

Vidangez à la tension de source:650 V
Transistors simples de transistors MOSFET d'IC Chip Through Hole TO-247-3 IMW65R072M1HXKSA1

Numéro de la pièce:IMW65R072M1HXKSA1

Dissipation de puissance (maximum):96W (comité technique)

Température de fonctionnement:-55°C | 150°C (TJ)
puce de circuit intégré des transistors IPT019N08N5ATMA1 de bâti de surface du N-canal 80V

Numéro de la pièce:IPT019N08N5ATMA1

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:1,9 mOhms

Temps de chute:17 NS
N-canal de la puce IPW65R075CFD7AXKSA1 d'IC 650V 32A par des transistors de trou

Numéro de la pièce:IPW65R075CFD7AXKSA1

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:68 OR @ 10 V

Dissipation de puissance (maximum):171W (comité technique)
Transistors simples de transistors MOSFET de bâti extérieur du P-canal 100V 38A d'AUIRF5210STRL

Numéro de la pièce:AUIRF5210STRL

Température de fonctionnement:-55°C | 150°C (TJ)

Taille:2,3 millimètres
Type extérieur 100V 90A de bâti de transistor MOSFET de puissance de N-canal du transistor IPD068N10N3GATMA1

Numéro de la pièce:IPD068N10N3GATMA1

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:3.5V @ 90µA

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:68 OR @ 10 V
Transistors TO-247-4 de transistors MOSFET de carbure de silicium de la puce NVH4L060N090SC1 de circuit intégré

Numéro de la pièce:NVH4L060N090SC1

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:87 OR @ 15 V

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:4.3V @ 5mA
produits semiconducteurs discrets des transistors IPDQ60R065S7XTMA1 des transistors MOSFET 30A

Numéro de la pièce:IPDQ60R065S7XTMA1

Configuration:simple

Temps de retard d'arrêt typique:100 NS
Le N-canal des véhicules à moteur de catégorie de la puce SCT4045DRHRC15 de circuit intégré actionnent sic le transistor MOSFET

Numéro de la pièce:SCT4045DRHRC15

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:45 mOhms

Vgs - tension de Porte-source:- 4 V, + 21 V
Chip de circuit intégré ITS4142N 3A Commutateur d'alimentation côté haut 1.4W Commutateur côté haut intelligent

Numéro de pièce:Le nombre de points de contrôle

Configuration de sortie:Côté élevé

Voltage - charge:12V à 45V
DLP9000XUVFLS puce de circuit intégré de 0,9 pouce WQXGA appareil de micro-miroir numérique à haute vitesse UV DLP

Minimum Order Quantity:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard

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