La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré APT50GT120B2RG 1200V Transistor IGBT haute tension

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Puce de circuit intégré IAUS240N08S5N019 80V 240A Transistor à canal N automobile

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Puits de circuit intégré IPB60R105CFD7 600V 21A 106W Transistor de puissance N-canal

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Puce de circuit intégré IPW65R190CFD7A Transistor à canal N 650V à travers le trou

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Puce de circuit intégré IRF250P224 Transistors à semi-conducteurs discrets 250V

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Chip de circuit intégré IPDD60R170CFD7 4.9A 10V Transistor unique à puissance d'amélioration

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La valeur de l'équipement doit être supérieure ou égale à la valeur de l'équipement.

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La valeur de l'énergie utilisée pour la production de l'électricité est déterminée par la fréquence d'émission de l'électricité.

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Puce de circuit intégré GS61008P-MR MOSFET 100V 90A Transistor GaN amélioré

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Puce de circuit intégré IPB60R060C7 600V 35A Transistor en mode d'amélioration N-canal

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Puce de circuit intégré IGQ120N120S7 IGBT Discrète 1200V 120A Transistor IGBT unique

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Puits de circuit intégré IPTC012N06NM5 Transistor de puissance OptiMOSTM 5 à canal N de 60 V

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Puce de circuit intégré IPW65R190CFD7A Transistor à canal N 650V à travers le trou

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Chip de circuit intégré IPDD60R170CFD7 4.9A 10V Transistor unique à puissance d'amélioration

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Puce de circuit intégré IPB60R060C7 600V 35A Transistor en mode d'amélioration N-canal

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