La Chine Puce de circuit intégré

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  Puce de circuit intégré STGWA40HP65FB2 Tranch Gate Field-Stop 650V 40A Transistors IGBT à grande vitesse

  Numéro de la partie:Le numéro de série est le numéro de série de l'appareil

  Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:650 V

  Tension de saturation de collecteur-émetteur:1,55 V

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  Puce de circuit intégré MSC360SMA120SA Transistor 1200V MOSFET FET unique discrète

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  Puce de circuit intégré GS66502B-MR MOSFET 650V 7.5A GaN Transistor en mode E

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  Puce de circuit intégré IGQ100N120S7 1200V 100A Single IGBT7 S7 Transistor TO247

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  Puce de circuit intégré IKZA50N120CH7 Transistor IGBT unique dans le paquet TO247 4Pin

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  Puce de circuit intégré IKQ150N65EH7 Transistor IGBT unique à haute vitesse 650V 150A

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  Puce de circuit intégré IXYH82N120C3 Transistor IGBT unique 1200V 200A à travers le trou

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  Puce de circuit intégré IKWH75N65EH7 Transistor IGBT à basse tension de saturation 650V

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  Puce de circuit intégré RGS80TS65DHRC11 650V 73A Transistor d'arrêt de champ de tranchée IGBT

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  Puce de circuit intégré STGWA25IH135DF2 Trench Field Stop 1.35kV 50A Transistor IGBT

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  Puce de circuit intégré STGWA50HP65FB2 IGBT Trench Field Stop 650V 86A Transistor

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  Puce de circuit intégré APT25GT120BRG 1200V 54A 347W Transistor NPT IGBT unique

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