La Chine Puce de circuit intégré

Les circuits intégrés IXYP20N120C4 et les transistors TO-220-3

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Packaging Details:Standard package
Puce de circuit intégré IXYT40N120A4HV 1200V 140A Transistors IGBT uniques TO-268-3

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Puce de circuit intégré STWA60N043DM9 N-Channel 600V 56A Transistors simples TO-247

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Détails d'emballage:Paquet standard
Transistors discrets de semi-conducteur de la puce IMW120R060M1H 1200V de circuit intégré

Numéro de la partie:IMW120R060M1H

VDSS:Pour les appareils électroniques

Tsold:°C 260
Transistors TO-247-3 de transistors MOSFET du N-canal 1200V du carbure de silicium IMW120R090M1H

Numéro de la partie:IMW120R090M1H

Catégorie de produits:Transistor MOSFET

Emballage / boîtier:TO-247-3
TO-263-8 transistors simples de transistors MOSFET de N-canal du paquet IMBG120R030M1H 56A

Numéro de la partie:IMBG120R030M1H

La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:2290 PF @ 800 V

Caractéristique de FET:La norme
Par les transistors discrets de transistors MOSFET de semi-conducteur du trou TO-247-4 IMZA65R030M1H

Numéro de la partie:IMZA65R030M1H

Temps de retard d'ouverture:22 NS

Temps de montée:16ns
Transistors du N-canal 650V de transistor MOSFET de la puce IMW65R083M1H de circuit intégré sic

Numéro de la partie:IMW65R083M1H

Nombre de chaînes:1

Température de fonctionnement minimale:- 55 C
Puce de circuit intégré AIMW120R035M1HXKSA1 Transistors simples automobiles TO-247-3

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Détails d'emballage:Paquet standard
Puce de circuit intégré AIMW120R060M1HXKSA1 Transistors mono-canal N à 1200 V automobile

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Puce de circuit intégré AIMW120R080M1XKSA1 Transistors mono-canal N 33A automobile

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Puce de circuit intégré NVBG045N065SC1 N-Channel 650 V 62A 242W Transistors

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