La Chine Puce de circuit intégré

IPT60R099CM8 puce de circuit intégré 600V CoolMOS 8 Transistor de puissance dans le paquet HSOF8

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IMSQ120R012M2HH Chipe de circuit intégré Transistor 1200V MOSFET à carbure de silicium discrets

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IMCQ120R007M2H Circuit intégré puce MOSFET au carbure de silicium discrète 1200V Transistor

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Chipe de circuit intégré STGB10M65DF2 Transistor IGBT 10A Fermeture de champ de la porte de tranchée

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Puce de circuit intégré APT50GT120B2RG 1200V Transistor IGBT haute tension

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Puce de circuit intégré IAUS240N08S5N019 80V 240A Transistor à canal N automobile

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Puits de circuit intégré IPB60R105CFD7 600V 21A 106W Transistor de puissance N-canal

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Puce de circuit intégré IPW65R190CFD7A Transistor à canal N 650V à travers le trou

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Puce de circuit intégré IRF250P224 Transistors à semi-conducteurs discrets 250V

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Chip de circuit intégré IPDD60R170CFD7 4.9A 10V Transistor unique à puissance d'amélioration

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La valeur de l'énergie utilisée pour la production de l'électricité est déterminée par la fréquence d'émission de l'électricité.

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