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Puce de circuit intégré BSC014N06NSSC 60V 261A Mode d'amélioration Transistor unique

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
ICW50N65WR5 puce de circuit intégré 650V 50A Transistors IGBT uniques TO-247-3

Numéro de pièce:Le nombre total de véhicules à moteur est de:

Poids unitaire:6.047 g

courant de fuite de Porte-émetteur:Na 100
IXTP160N10T Chip de circuit intégré en mode d'amélioration N-Channel 100V 160A Transistors MOSFET de puissance

Numéro de pièce:Pour les appareils de traitement de l'air

Type de FET:N-canal

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)
BSC026N08NS5 puce de circuit intégré 80V OptiMOSTM 5 Transistors MOSFET de puissance

Numéro de pièce:BSC026N08NS5

Technologie:SI

Polarité de transistor:N-canal
IPB100N04S4-H2 Puce de circuit intégré 40V OptiMOS-T2 Transistors MOSFET automobiles

Numéro de pièce:Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.

Polarité de transistor:N-canal

Vds - tension claque de Drain-source:40 V
IPDD60R050G7 puce de circuit intégré 600V MOSFET de puissance N-canal Transistors HDSOP-10

Numéro de pièce:Le nombre d'unités utilisées est déterminé par la méthode suivante:

Polarité de transistor:N-canal

Vds - tension claque de Drain-source:600 V ou plus
IPB042N10N3G puce de circuit intégré 100V OptiMOSTM Puissance MOSFET Transistors TO-263-3

Numéro de pièce:IPB042N10N3G

Série:OptiMOS™

Type de FET:N-canal
IPP051N15N5 puce de circuit intégré 150V MOSFET de puissance N-canal Transistors TO-220-3

Numéro de pièce:IPP051N15N5

Taille:15.65 mm

Longueur:10 mm
Chip de circuit intégré SPA11N80C3 CoolMOS Transistors MOSFET de puissance N-Channel à TO-220FP-3

Numéro de la partie:SPA11N80C3

Vds - Tension de claquage drain-source ::Pour les appareils électroniques

Id - Courant de drain continu ::11 A
IAUT165N08S5N029 Puce de circuit intégré 80V 2,9 mΩ OptiMOSTM-5 Transistors MOSFET automobiles

Numéro de la partie:Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission.

Polarité du transistor ::N-canal

Nombre de canaux ::1ère chaîne
IRFH5215TRPBF puce de circuit intégré 150V StrongIRFETTM Transistors MOSFET de puissance

Numéro de pièce:IRFH5215TRPBF

Polarité de transistor:N-canal

Vds - tension claque de Drain-source:150 V
IPB60R045P7 puce de circuit intégré 600V Transistors MOSFET à puissance N-canal

Numéro de la partie:Le nombre d'équipements utilisés est déterminé par le système de mesure.

Température de fonctionnement:-55 °C à 150 °C

Le paquet:PG-TO263-3

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