La Chine Puce de circuit intégré

INA128UA Amplificateur d'instrumentation à basse puissance à puce de circuit intégré de précision

Numéro de pièce:Les États membres doivent:

Nombre de canaux ::1ère chaîne

Bande passante 3 dB ::200 kilohertz
Puce de circuit intégré LM5168PDDAR 300mA Convertisseur CC-DC avec capacité Fly-Buck

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
Transistors du P-canal 40V 180A de la puce IPB180P04P403ATMA2 de circuit intégré

Numéro de la pièce:IPB180P04P403ATMA2

Vgs (maximum):±20V

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
Transistors de bâti de surface de N-canal de la puce IPL60R225CFD7AUMA1 de circuit intégré

Numéro de la pièce:IPL60R225CFD7AUMA1

Nombre de canaux:1 canal

Vds - tension claque de Drain-source:600 V
Paquet du transistor MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF de la puce IPT004N03LATMA1 de circuit intégré

Numéro de la pièce:IPT004N03LATMA1

Type de FET:N-canal

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Transistors simples de transistors MOSFET de N-canal extérieur du bâti BSC050N10NS5ATMA1 100V

Numéro de la pièce:BSC050N10NS5ATMA1

Dissipation de puissance:3W (merci), 136W (comité technique)

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)
Puce simple de circuit intégré des transistors de puissance du N-canal NVHL040N120SC1 sic 1200V

Numéro de la pièce:NVHL040N120SC1

Th de Vgs - tension de seuil de Porte-source:4,3V

Palladium - dissipation de puissance:348 W
Transistors électroniques de transistors MOSFET du N-canal 8A des circuits intégrés IPP60R065S7XKSA1

Numéro de la pièce:IPP60R065S7XKSA1

Type de FET:N-canal

Statut de produit:Actif
Transistors discrets de transistors MOSFET des produits semiconducteurs IPDQ60R040S7XTMA1

Numéro de la pièce:IPDQ60R040S7XTMA1

Technologie:SI

Canaux:1
Bâti extérieur de transistors électroniques des circuits intégrés IPDQ60R022S7XTMA1

Numéro de la pièce:IPDQ60R022S7XTMA1

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:4.5V @ 1.44mA

Température de fonctionnement:-55°C | 150°C (TJ)
Transistors de N-canal de carbure de silicium de transistor MOSFET de la puce NTH4L020N090SC1 484W d'IC

Numéro de la pièce:NTH4L020N090SC1

Technologie:SiCFET (carbure de silicium)

Type de FET:N-canal
Transistors extérieurs de N-canal du bâti 8-HPSOF de la puce NVBLS001N06C 60V 51A d'IC

Numéro de la pièce:NVBLS001N06C

Identification - courant continu de drain:422 A

Température de fonctionnement maximum:+ 175 C

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Transistors de bâti de surface de N-canal de la puce IPL60R225CFD7AUMA1 de circuit intégré

Paquet du transistor MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF de la puce IPT004N03LATMA1 de circuit intégré

Transistors simples de transistors MOSFET de N-canal extérieur du bâti BSC050N10NS5ATMA1 100V

Puce simple de circuit intégré des transistors de puissance du N-canal NVHL040N120SC1 sic 1200V

Transistors électroniques de transistors MOSFET du N-canal 8A des circuits intégrés IPP60R065S7XKSA1

Transistors discrets de transistors MOSFET des produits semiconducteurs IPDQ60R040S7XTMA1

Bâti extérieur de transistors électroniques des circuits intégrés IPDQ60R022S7XTMA1

Transistors de N-canal de carbure de silicium de transistor MOSFET de la puce NTH4L020N090SC1 484W d'IC

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