La Chine Puce de circuit intégré

ISA170230C04LMDS Transistors MOSFET à puissance N-canal pour amélioration de puce de circuit intégré

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Puits de circuit intégré IPA95R450PFD7 950V 7.2A Transistors MOSFET de puissance N-canal

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Transistors de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de TO-247-4 MSC025SMA120

Numéro de la pièce:MSC025SMA120

Polarité de transistor:N-canal

La Manche:1
Transistors de transistor MOSFET de puissance de N-canal de carbure de silicium de TO-247-3 MSC027SMA330

Numéro de la pièce:MSC027SMA330

Facteur de sous-sollicitation linéaire:3,33 W/°C

Drain-source sur la résistance:22mΩ
Transistors MSC040SMA120B4 TO-247-4 de transistor MOSFET de puissance de N-canal de rendement élevé

Numéro de la pièce:MSC040SMA120B4

Vgs:+23V, -10V

Montage du type:Par le trou
Puce de circuit intégré des transistors MSC017SMA120B4 TO-247-4 de transistor MOSFET de puissance de N-canal

Numéro de la pièce:MSC017SMA120B4

Polarité de transistor:N-canal

Temps de chute:18 NS
Transistors TO-247-3 de transistor MOSFET de puissance de N-canal du carbure de silicium MSC750SMA170B

numéro de la pièce:MSC750SMA170B

Courant continu de drain à comité technique = °C 25:7A

Facteur de sous-sollicitation linéaire:0.46W/°C
Transistors TO-247-4 de transistor MOSFET de puissance du N-canal MSC080SMA120B4 par le trou

Numéro de la pièce:MSC080SMA120B4

Température de fonctionnement maximum:+ 175 C

Mode de la Manche:Amélioration
Puits de circuit intégré NTMFS5C628NLT3G Transistors MOSFET de puissance N-Channel pour automobile

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Puits de circuit intégré NVMJS1D5N04CLTWG Transistors MOSFET de puissance N-Channel pour automobile

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Puits de circuit intégré IPP016N08NF2S 100A 10V Transistor MOSFET de puissance N-canal

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Puits de circuit intégré IPB012N04NF2S Transistors MOSFET à puissance N-canal

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