La Chine Puce de circuit intégré

Transistors simples de transistors MOSFET de N-canal de la puce NVMFS5C612NWFT1G de circuit intégré

Numéro de la pièce:NVMFS5C612NWFT1G

Courant continu de drain:225 A

Tension de Gate−to−Source:±20 V
Transistors de N-canal de la puce TO-247-4 de circuit intégré du transistor MOSFET NTH4L027N65S3F de puissance

Numéro de la pièce:NTH4L027N65S3F

Montage du style:Par le trou

Polarité de transistor:N-canal
NTH4L015N065SC1 transistors de carbure de silicium de transistor MOSFET du N-canal 650V 142A

Numéro de la pièce:NTH4L015N065SC1

Temps de charge:17 NS

Temps de décharge:11 NS
Puces simples du transistor MOSFET 5-DFN IC de puissance des transistors NTMFS005N10MCLT1G de N-canal

Numéro de la pièce:NTMFS005N10MCLT1G

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:3V @ 192µA

Dissipation de puissance (maximum):3W (Ta), 125W (Tc)
Transistors simples 5-DFN de N-canal de puissance de transistor MOSFET de NVMFS5C670NWFT1G 60V 71A

Numéro de la pièce:NVMFS5C670NWFT1G

Tension d'entraînement:10V

Le RDS dessus:7mOhm
Transistors de la Manche de ‐ de Chip Power N de circuit intégré des transistors TO-220-3 NTP125N65S3H

Numéro de la pièce:NTP125N65S3H

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Transistors simples de N-canal de carbure de silicium de la puce NTMFS5C628NT1G 5-DFN d'IC

Numéro de la pièce:NTMFS5C628NT1G

Temps de retard de Turn−off:25 NS

Tension en avant de diode:1.2V
Puce simple de circuit intégré des transistors NVH4L040N65S3F TO-247-4 de N-canal

Numéro de la pièce:NVH4L040N65S3F

Technologie:Transistor MOSFET (oxyde de métal)

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:40mOhm @ 32.5A, 10V
Transistors simples de N-canal de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de NTMFS0D9N03CGT1G

Numéro de la pièce:NTMFS0D9N03CGT1G

Courant pulsé de drain:900 A

Junction−to−Case – équilibré:1,0 °C/W
Transistors simples de N-canal de transistor MOSFET de puissance de la puce FDBL9403-F085T6 de circuit intégré

Numéro de la pièce:FDBL9403-F085T6

Courant de source:330 A

Capacité d'entrée:6985 PF
Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

Numéro de la pièce:NTP055N65S3H

Temps de retard d'ouverture typique:30 NS

Série:SuperFET® III
Par les transistors discrets de semi-conducteur du N-canal TO-247-3 du trou NVHL060N090SC1

Numéro de la pièce:NVHL060N090SC1

Courant zéro de drain de tension de porte:100 uA

Courant de fuite de Gate−to−Source:±1 uA

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Transistors simples de N-canal de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de NTMFS0D9N03CGT1G

Transistors simples de N-canal de transistor MOSFET de puissance de la puce FDBL9403-F085T6 de circuit intégré

Transistors TO-220-3 de N-canal de la puce NTP055N65S3H de circuit intégré par le trou

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