La Chine Puce de circuit intégré

Transistors discrets simples de semi-conducteur d'IGBTs IKY100N120CH7XKSA1 212A 721W

Numéro de la pièce:IKY100N120CH7XKSA1

Type d'IGBT:Arrêt de champ de fossé

Charge de porte:714 OR
Transistors simples de la puce IKQ75N120CH7XKSA1 IGBT 1200V 82A d'IC par le trou

Numéro de la pièce:IKQ75N120CH7XKSA1

Temps de rétablissement inverse:149 NS

Température de fonctionnement:-40°C | 175°C (TJ)
Arrêt de champ de fossé de la puce IKW08N120CS7XKSA1 1200V 21A 106W IGBT d'IC par le trou

Numéro de la pièce:IKW08N120CS7XKSA1

Technologie:SI

Catégorie de produit:Transistors d'IGBT
Puce de circuit intégré IKY75N120CH7XKSA1 IGBT avec la diode antiparallèle TO-247-4

Numéro de la pièce:IKY75N120CH7XKSA1

Actuel - collecteur (IC) (maximum):83 A

Puissance - maximum:549 W
Transistors électroniques des circuits intégrés IKQ50N120CH7XKSA1 1200V 71A

Numéro de la pièce:IKQ50N120CH7XKSA1

La température de jonction maximum:175°C

Basse tension de saturation:1,7 V
Puce TO-247-3 650V de circuit intégré de l'arrêt de champ de fossé d'IGBT IKW40N65ET7XKSA1

Numéro de la pièce:IKW40N65ET7XKSA1

Type d'IGBT:Arrêt de champ de fossé

Énergie de changement:1.05mJ (dessus), 590µJ ()
Transistors simples TO-247-3 de la puce IKW50N120CH7XKSA1 IGBT de circuit intégré

Numéro de la pièce:IKW50N120CH7XKSA1

Énergie de changement:2.33mJ (dessus), 1.12mJ ()

Type d'entrée:Norme
Puce de circuit intégré des transistors IKQ75N120CS7XKSA1 d'arrêt de champ de fossé d'IGBT

Numéro de la pièce:IKQ75N120CS7XKSA1

Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V

Paquet:TO-247-3
Arrêt de champ de fossé d'IKY50N120CH7XKSA1 IGBT 1200 V 75 transistors d'un IGBTs

Numéro de la pièce:IKY50N120CH7XKSA1

Tension - panne de collecteur-émetteur:1200 V

Type d'entrée:Norme
Arrêt de champ simple de fossé des transistors IKW40N120CH7XKSA1 TO-247-3 IGBT d'IGBTs 1200V

Numéro de la pièce:IKW40N120CH7XKSA1

IFpuls maximum:165A

Ptot (@ TA=25°C) maximum:330 W
Puce de circuit intégré des transistors 650V 40A 136W IKW20N65ET7XKSA1 d'IGBT

Numéro de la pièce:IKW20N65ET7XKSA1

Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C:16ns/210ns

Condition d'essai:400V, 20A, 12Ohm, 15V
arrêt de champ de fossé des transistors IKW40N120CS7XKSA1 357W IGBT de 1200V IGBT TO-247-3

Numéro de la pièce:IKW40N120CS7XKSA1

Tension maximum d'émetteur de porte:- 20 V, 20 V

Courant de collecteur continu à 25 C:82 A

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