Numéro de la pièce:MSC050SDA120S
Tension inverse maximum de C.C:1200V
Technologie:Sic (carbure de silicium) Schottky
Numéro de la pièce:MSC030SDA120B
Actuel en avant maximum de C.C comité technique = °C 25:60A
Paquet/cas:TO-247-2
Numéro de la pièce:MSC030SDA120K
Capacité @ Vr, F:141pF @ 400V, 1MHz
Montage du type:Par le trou
Numéro de la pièce:MSC020SDA120K
Type:Les redresseurs choisissent des diodes
Technologie:Sic (carbure de silicium) Schottky
Numéro de la pièce:MSC015SDA120B
Courant en avant maximum de C.C (comité technique = °C) 145:14A
Puissance dissipée (TC = 25 °C):167W
Numéro de la pièce:IDK02G120C5XTMA1
Si - courant en avant:2 A
Configuration:Simple
Numéro de la pièce:IDK08G120C5XTMA1
Vitesse:Aucun temps de rétablissement > 500mA (E/S)
Actuel - fuite inverse @ Vr:µA 40 @ 1200 V
Numéro de la pièce:IDK16G120C5XTMA1
Je (FSM) maximum:140 A
SI maximum:16 A
Numéro de la pièce:IDWD15G120C5XKSA1
Vr - Tension inverse:1,2 kV
RthJC:0,8 K/W
Numéro de la pièce:AIDK12S65C5ATMA1
Ir - Courant inverse:70 uA
Paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO263-2
Numéro de la pièce:FFSB0865B-F085
Temps de rétablissement inverse (trr):0 ns
Dissipation de puissance (comité technique = 150°C):12W
Numéro de la pièce:FFSB0665B-F085
Avalanche évaluée:24,5 MJ
Max Junction Temperature:175°C