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Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce SCTWA35N65G2V de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTWA35N65G2V

Type de FET:N-canal

Dissipation de puissance:208W (TC)
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce SCTWA60N120G2-4 de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTWA60N120G2-4

Tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Courant continu de drain:60 A
Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Numéro de la pièce:NTH4L040N120SC1

Dissipation de puissance (maximum):319W (comité technique)

Montage du type:Par le trou
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Numéro de la pièce:SCTW90N65G2V

Le RDS dessus:25 mOhms

Tension de seuil de Porte-source:1,9 V
Transistors de transistor MOSFET de puissance des transistors SCT055HU65G3AG HU3 PAK Automotive Grade SIC

Numéro de la pièce:SCT055HU65G3AG

Temps de chute:12,1 ns

Temps de montée:7,9 NS
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce SCTL35N65G2V 650V 40A d'IC

Numéro de la pièce:SCTL35N65G2V

Poids spécifique:mg 180

Temps de montée:1ns
Le N-canal des véhicules à moteur de la catégorie SCT3080KRHRC15 actionnent sic les transistors TO-247-4 de transistor MOSFET

Numéro de la pièce:SCT3080KRHRC15

Le RDS (dessus) (type.):80mΩ

Dissipation de puissance:165W
Puce de circuit intégré SAS4024B0-2 Ports haut de gamme 24G Contrôleur d'E/S en trois modes

Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
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Quantité de commande min:10

Prix:Contact for Sample

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Prix:Contact for Sample

Détails d'emballage:Paquet standard
La valeur de l'indicateur de puissance est calculée en fonction de la valeur de l'indicateur de puissance.

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