La Chine Puce de circuit intégré

Puce de circuit intégré IPB180N08S402 D2PAK Transistor MOSFET 7Pin de puissance automobile

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Puits de circuit intégré IRFS3006TRL7PP 60V Transistor MOSFET à alimentation par canal N unique

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Puissance de niveau logique de 100 V

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Puissance du circuit intégré IPB110P06LM

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Puissance de la puce IPT030N12N3G MOSFET Transistor 120V dans le paquet TOLL

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Puissance du canal N 650V MOSFET Transistor TO220

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Puissance des transistors MOSFET

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Transistors 600V 8PowerVDFN de transistor MOSFET de puissance de la puce STL24N60M6 de circuit intégré

Numéro de la pièce:STL24N60M6

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:23 OR @ 10 V

Le RDS (dessus) maximum:mΩ 209
Transistors 750V H2PAK-7 de transistor MOSFET de puissance de la puce SCT011H75G3AG de circuit intégré de SIC

Numéro de la pièce:SCT011H75G3AG

Tension de Drain-source:750 V

Vidangez actuel (continu) à comité technique = le °C 25:110A
puce HU2PAK-7 de circuit intégré des transistors SCT018H65G3AG SIC de transistor MOSFET de la puissance 55A

Numéro de la pièce:SCT018H65G3AG

Paquet:HU2PAK-7

Tension de Porte-source:-10V à 22V
Transistors simples linéaires de FETs des transistors TO-247 de transistor MOSFET de puissance de la Manche IXTH24N50L de N

Numéro de la pièce:IXTH24N50L

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:160 OR @ 20 V

Dissipation de puissance (maximum):400W (comité technique)
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce MSC040SMA120B de circuit intégré

numéro de la pièce:MSC040SMA120B

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Palladium:311 W

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