La Chine Puce de circuit intégré

transistors NTH4L025N065SC1 de transistor MOSFET du N-canal 650V par des puces du trou TO-247-4 IC

Numéro de la pièce:NTH4L025N065SC1

Température de fonctionnement minimum:-55°C (TJ)

Palladium - dissipation de puissance:348 W
Puce TO-247-3 de circuit intégré des transistors NTHL020N120SC1 1200V de transistor MOSFET de N-canal

Numéro de la pièce:NTHL020N120SC1

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:28 mOhms à 60 A, 20 V

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds:2890 PF @ 800 V
sic transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de N-canal du transistor MOSFET IMBG120R045M1H du fossé 1200V

Numéro de la pièce:IMBG120R045M1H

Temps de tenue de court-circuit:3 µs

Tension d'arrêt de porte:0V
Transistors de transistor MOSFET de fossé de la puce IMBG120R060M1H TO-263-8 1200V de circuit intégré sic

Numéro de la pièce:IMBG120R060M1H

Courant pulsé de drain:94A

Dissipation de puissance, comité technique = 25°C:181W
Transistors de transistor MOSFET du fossé TO-263-8 de carbure de silicium du N-canal IMBG120R220M1H 1200V

Numéro de la pièce:IMBG120R220M1H

Temps de chute:11 NS

Transconductance en avant - minute:1,9 S
Transistors de transistor MOSFET de puissance de N-canal de la puce MSC025SMA120J de circuit intégré

Numéro de la pièce:MSC025SMA120J

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Température de fonctionnement maximum:+ 175 C
N-canal 1200V 19A 94W des transistors IMW120R140M1H de transistor MOSFET de carbure de silicium par le trou

Numéro de la pièce:IMW120R140M1H

Température de fonctionnement:-55°C | 175°C (TJ)

Polarité:N
Les IC ébrèchent des transistors de transistor MOSFET de N-canal de carbure de silicium de MSC025SMA120S 1200 V

Numéro de la pièce:MSC025SMA120S

Type de FET:N-canal

Actuel - drain continu (identification) @ 25°C:89A (comité technique)
Transistors TO-247-4 de transistor MOSFET de la puce MSC180SMA120B 1200V de circuit intégré sic

Numéro de la pièce:MSC180SMA120B

Polarité de transistor:N-canal

Montage du style:Par le trou
Transistors TO-268-3 de transistor MOSFET de la puce MSC090SMA070S 700V de circuit intégré sic

numéro de la pièce:MSC090SMA070S

Identification - Courant continu de drain:25 A

résistance thermique de Jonction-à-cas (type):1.10W/°C
De silicium du carbure MSC015SMA070B4 de N-canal puces des transistors TO-247-4 IC de transistor MOSFET sic

Numéro de la pièce:MSC015SMA070B4

Courant pulsé de drain:350A

Facteur de sous-sollicitation linéaire:3.03W/°C
Transistors des véhicules à moteur 650V de transistor MOSFET de catégorie des transistors IPBE65R075CFD7AATMA1 TO-263-7

Numéro de la pièce:IPBE65R075CFD7AATMA1

Le RDS sur - la résistance de Drain-source:139 mOhms

Vgs - tension de Porte-source:- 20 V, + 20 V

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