La Chine Puce de circuit intégré

puce HU2PAK-7 de circuit intégré des transistors SCT018H65G3AG SIC de transistor MOSFET de la puissance 55A

Numéro de la pièce:SCT018H65G3AG

Paquet:HU2PAK-7

Tension de Porte-source:-10V à 22V
Transistors simples linéaires de FETs des transistors TO-247 de transistor MOSFET de puissance de la Manche IXTH24N50L de N

Numéro de la pièce:IXTH24N50L

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:160 OR @ 20 V

Dissipation de puissance (maximum):400W (comité technique)
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce MSC040SMA120B de circuit intégré

numéro de la pièce:MSC040SMA120B

Température de fonctionnement minimum:- 55 C

Palladium:311 W
Transistors TO-263-8 de transistor MOSFET de puissance de la puce IMBG65R163M1HXTMA1 de circuit intégré

Numéro de la pièce:IMBG65R163M1HXTMA1

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):18V

Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs:217mOhm @ 5.7A, 18V
Transistor 8-PowerSFN de transistor MOSFET de puissance de la puce IPT020N10N5ATMA1 100V de circuit intégré

Numéro de la pièce:IPT020N10N5ATMA1

Dissipation de puissance (maximum):273W (comité technique)

Type de FET:N-canal
Puce de circuit intégré des transistors BSZ050N03LSGATMA1 8-PowerTDFN de transistor MOSFET de puissance

Numéro de la pièce:BSZ050N03LSGATMA1

Palladium - dissipation de puissance:50W

Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs:35 OR @ 10 V
Le N-canal SCT3040KW7TL actionnent sic la puce de circuit intégré des transistors TO-263-8 de transistor MOSFET

Numéro de la pièce:SCT3040KW7TL

Palladium - dissipation de puissance:267 W

Mode de la Manche:Amélioration
Le N-canal de la puce SCT4018KEC11 TO-247-3 de circuit intégré actionnent sic des transistors de transistor MOSFET

Numéro de la pièce:SCT4018KEC11

Technologie:SCI

Montage du style:Par le trou
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce SCTWA35N65G2V de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTWA35N65G2V

Type de FET:N-canal

Dissipation de puissance:208W (TC)
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium de la puce SCTWA60N120G2-4 de circuit intégré

Numéro de la pièce:SCTWA60N120G2-4

Tension claque de Drain-source:1,2 kilovolts

Courant continu de drain:60 A
Transistors TO-247-4L de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal NTH4L040N120SC1

Numéro de la pièce:NTH4L040N120SC1

Dissipation de puissance (maximum):319W (comité technique)

Montage du type:Par le trou
Transistors de transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du N-canal 650V 90A 390W de SCTW90N65G2V

Numéro de la pièce:SCTW90N65G2V

Le RDS dessus:25 mOhms

Tension de seuil de Porte-source:1,9 V

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