La Chine Puce de circuit intégré

Puits de circuit intégré IAUC120N04S6N006 Transistors MOSFET de puissance automobile 40V

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Puits de circuit intégré E3M0120090J Transistors MOSFET à puissance SiC automobile 900V

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Puits de circuit intégré E3M0040120K 1200V Transistors MOSFET à puissance SiC automobile

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Transistors MOSFET à puissance 600 V à canal N

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Puits de circuit intégré AIMBG75R090M1H CoolSiC Transistors MOSFET de puissance automobile

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Chips de circuits intégrés STW70N60DM6 N-Channel 600V 62A Transistors MOSFET de puissance

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Puce de circuit intégré IAUA170N10S5N031 OptiMOS 5 Puissance MOSFET Transistors 100V

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Puce de circuit intégré ISZ810P06LM 19.5A Transistors MOSFET à puissance unique à canal P

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Chips de circuit intégré ISZ56DP15LM Transistors MOSFET à puissance unique à canal P

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Puce de circuit intégré ISZ15EP15LM Transistors MOSFET à puissance unique

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Chip de circuit intégré ISP12DP06NM 60V 2.8A 1.8W Transistors MOSFET de puissance

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MLX80020KDC-BAA-000-RE Puce de circuit intégré 5mA Transcepteur LIN amélioré SOIC-8

Numéro de la partie:Les États membres doivent fournir aux autorités compétentes les informations suivantes:

Le protocole:LINbus

Hystérésis de récepteur:175 système mv

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Puce de circuit intégré ISZ810P06LM 19.5A Transistors MOSFET à puissance unique à canal P

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Le système d'exploitation est basé sur le système de commutation PCI.

Le système de commutation est basé sur le système de commutation PCI.

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