La Chine Puce de circuit intégré

transistor MOSFET de puissance de carbure de silicium du ² PAK-7 de la puce SCT070H120G3AG H de circuit intégré de 30A SIC

Numéro de la pièce:SCT070H120G3AG

Tension de Drain-source:1200V

Tension de Porte-source:-10V à 22V
Puce de la puce HU3PAK IC de circuit intégré du transistor MOSFET SCT040HU65G3AG SIC de puissance de carbure de silicium

Numéro de la pièce:SCT040HU65G3AG

Paquet:HU3PAK

minute de tension claque de Drain-source (VGS = 0 V, identifications = 1 mA):650 V
Transistors larges du ² PAK-7 Bandgap des transistors MOSFET H de la puce SCT040H65G3AG de circuit intégré de SIC sic

Numéro de la pièce:SCT040H65G3AG

Type de changement d'arrêt de l'énergie (RG=15Ω, VGS=-5V à 18V):67µJ

Paquet:² PAK-7 DE H
Catégorie des véhicules à moteur de la puce H2PAK-7 de circuit intégré des transistors de puissance SCT040H120G3AG SIC

Numéro de la pièce:SCT040H120G3AG

Type du RDS (dessus):mΩ 40

Type statique de sur-résistance de drain-source (VGS = 18 V, identification = 16 A):40MΩ
Transistors MOSFET larges des transistors 100A de la puce SCT020H120G3AG Bandgap de circuit intégré de SIC sic

Numéro de la pièce:SCT020H120G3AG

Dissipation de puissance totale à comité technique = °C 25:555 W

Courant de drain (pulsé):281 A
Sic puce H2PAK-7 de circuit intégré des transistors SCT012H90G3AG 110A SIC de transistors MOSFET

Numéro de la pièce:SCT012H90G3AG

Énergie de changement d'arrêt (type):889uJ

Temps de retard d'ouverture (type):37ns
Transistors simples des transistors MOSFET TO-247-4 de FETs de la puce SCTWA70N120G2V de circuit intégré de SIC

Numéro de la pièce:SCTWA70N120G2V

Type de FET:N-canal

Vidangez à la tension de source (Vdss):1200V
Transistors larges du carbure de silicium de la puce SCT040W120G3AG de circuit intégré de SIC HiP247 Bandgap

Numéro de la pièce:SCT040W120G3AG

Dissipation de puissance (maximum):312W

Identification de Vgs (Th) (maximum) @:4.2V @ 5mA
puce TO-247-3 de circuit intégré de Schottky MSC010SDA170B SIC de carbure de silicium 31A

Numéro de la pièce:MSC010SDA170B

Paquet/cas:TO-247-3

C.C en avant actuel comité technique (maximum) = °C 135:14A
Puissance faible CDA à canal double WQFN40 de la puce ADC3644IRSBR de circuit intégré à faible bruit

Numéro de la pièce:ADC3644IRSBR

Nombre de convertisseurs d'A/D:2

Architecture:SAR
Puce à faible bruit de circuit intégré de la puissance faible CDA WQFN40 de 65MSPS ADC3583IRSBR 18Bit

Numéro de la pièce:ADC3583IRSBR

Nombre de peu:18

Rapport - EMBARQUANT ET MANIPULANT : CDA:0:1
Delta-sigma à 32 bits CDA de la puce ADS1285IRHBR de circuit intégré pour des applications séismiques

Numéro de la pièce:ADS1285IRHBR

Statut de produit:Actif

Nombre de peu:32

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Transistors MOSFET larges des transistors 100A de la puce SCT020H120G3AG Bandgap de circuit intégré de SIC sic

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