|
Détails sur le produit:
|
| Numéro de pièce: | IPI80N06S4-07 | Tension drain-source (Vdss): | 60 V |
|---|---|---|---|
| Courant - Drain continu (Id) à 25°C: | 80A (comité technique) | Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: | 56 OR @ 10 V |
| Dissipation de puissance (max): | 79W (comité technique) | Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Mettre en évidence: | 60V Automotive N-Channel MOSFET,80A Power MOSFET Transistor,AEC Q101 Qualified N-Channel MOSFET |
||
IPI80N06S4-07 Integrated Circuit Chip OptiMOS™-T2 Power Transistors 60V Automotive N-Channel MOSFETs Product Overview Of IPI80N06 The IPI80N06S4-07 is a 60V, enhancement-mode OptiMOS™-T2 automotive N-channel power MOSFET transistor housed in a PG-TO262-3 package. Engineered for demanding automotive and industrial power applications, it delivers high current capability, low on-resistance, and reliable performance across an extended temperature range. Specifications Of IPI80N06
Personne à contacter: Sales Manager
Téléphone: 86-13410018555
Télécopieur: 86-0755-83957753