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IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3
IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Image Grand :  IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IXFH80N65X2W
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO247-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3

Définition
Numéro de pièce: IXFH80N65X2W Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 80A (comité technique) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhms à 40 A, 10 V Vgs(th) (maximum) @ Id: 5V @ 4mA
Mettre en évidence:

650V MOSFET Transistor

,

80A Power MOSFET

,

38mOhm N-Channel MOSFET

IXFH80N65X2W Integrated Circuit Chip X2 Series 80A 650V MOSFET Transistors TO247-3 Product Overview Of IXFH80N65X2W The IXFH80N65X2W is an X2-Class HiPerFET power MOSFET rated at 650 V breakdown voltage with 80 A continuous drain current and 38 mΩ on-resistance. It is an avalanche-rated, N-channel enhancement-mode device featuring a fast intrinsic body diode, low gate charge, and low package inductance for high power density designs. This part targets switch-mode and resonant

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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