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IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip

IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip
IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip

Image Grand :  IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: Pour les appareils à commande numérique
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-247-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

IXTH200N10T 100V 200A N-Channel Power MOSFET Trench Gate MOSFET TO-247-3 Integrated Circuit Chip

Définition
Numéro de pièce: Pour les appareils à commande numérique Type FET: Channel n
Tension drain-source (Vdss): 100 V Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 200A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: 9 400 pF à 25 V Dissipation de puissance (max): 550W (Tc)
Mettre en évidence:

100V Power MOSFET

,

200A N-Channel MOSFET

,

TO-247-3 Trench Gate MOSFET

IXTH200N10T Integrated Circuit Chip 100V 200A N-Channel Trench Gate Power MOSFETs TO-247-3 Product Overview Of IXTH200 The IXTH200N10T is a 100V, 200A N-Channel Enhancement Mode Trench Gate Power MOSFET housed in a TO-247-3 package. It belongs to a series of high-current, low-on-resistance trench-gate power MOSFETs designed for demanding power switching applications, including switch-mode power supplies, motor drives, inverters, DC-DC converters, and welding machines.

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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