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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | IKW25N120T2 | Tension - Répartition des émetteurs de collection (max): | 1200 V |
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| Courant - collectionneur (IC) (max): | 50 a | Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées): | 100 A |
| Puissance - Max: | 349 W | Énergie de changement: | 2.9mJ |
| Mettre en évidence: | 1200V IGBT Transistor,25A Integrated Circuit Chip,Anti-Parallel Diode Discrete IGBT |
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IKW25N120T2 Integrated Circuit Chip 1200V 25A IGBT Transistors With Anti-Parallel Diode Product Overview Of IKW25N120T2 IKW25N120T2 is a 1200V, 25A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247-3 package. This TRENCHSTOP™ IGBT4 device combines trench-cell and fieldstop technology for significant improvements in both static and dynamic performance. The integration with a soft recovery emitter controlled diode further minimizes turn-on losses, achieving optimal efficiency
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