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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

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Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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—— Nishikawa, du Japon

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—— Lina, d'Allemagne

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IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications
IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Image Grand :  IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IRLB3813
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-220-3
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

IRLB3813 30V 260A 1.95mOhm Power MOSFET StrongIRFET Transistor for High Current Applications

Définition
Numéro de pièce: IRLB3813 Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 260A (comité technique) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1,95 mOhms à 60 A, 10 V Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.35V @ 150µA
Mettre en évidence:

30V Power MOSFET

,

260A MOSFET Transistor

,

1.95mOhm StrongIRFET

IRLB3813 Integrated Circuit Chip 30V Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET Transistors Product Overview Of IRLB3813 IRLB3813 is a 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package. The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness, addressing applications including DC motors, battery management systems,

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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