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BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz
BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

Image Grand :  BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: BLF8G22LS-270GV
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Module
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

BLF8G22LS-270GV Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistor 2.11GHz ~ 2.17GHz

Définition
Numéro de pièce: BLF8G22LS-270GV Technologie: LDMOS
Fréquence: 2Pour les appareils de surveillance de l'environnement Gagner: 170,3 dB
Tension - test: 28 V Current - Test: 2,4 A
Mettre en évidence:

270W Power Integrated Circuit Chip

,

28V Voltage LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Frequency RF Power Transistor

BLF8G22 Integrated Circuit Chip 270W Power LDMOS Transistor 28V RF Power Transistors Product Overview Of BLF8G22 BLF8G22 is 270W LDMOS power transistor with improved video bandwidth for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLF8G22 Technology LDMOS Frequency 2.11GHz ~ 2.17GHz Gain 17.3dB Voltage - Test 28 V Current - Test 2.4 A Power - Output 80W Voltage - Rated 65 V Mounting Type Chassis Mount Package / Case SOT-1244C Supplier

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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