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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications
BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Image Grand :  BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: BLC10G22XS-301AVT
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: SOT1275-1
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

BLC10G22XS-301AVT 300W Asymmetric Doherty LDMOS Transistor for 2.11GHz ~ 2.17GHz Base Station Applications

Définition
Numéro de pièce: BLC10G22XS-301AVT Technologie: LDMOS
Fréquence: 2Pour les appareils de surveillance de l'environnement Puissance - Sortie: 350W
Évaluation actuelle (AMPS): 1,4µA Tension - Nominale: 65 V
Mettre en évidence:

300W LDMOS Transistor

,

2.11GHz ~ 2.17GHz Integrated Circuit Chip

,

Asymmetric Doherty RF MOSFET Transistor

BLC10G22 Integrated Circuit Chip 300W Asymmetric Doherty Power LDMOS Transistor SOT1275-1 Product Overview Of BLC10G22 BLC10G22 is a 300W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2110 MHz to 2170 MHz. Specifications Of BLC10G22 Product Category RF MOSFET Transistors Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.4 uA Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Operating Frequency 2.11 GHz to 2.17 GHz Gain 15 dB Output

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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