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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

—— Tim, de Malaisie

Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

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Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current
IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Image Grand :  IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IPP65R190CFD
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-220-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

IPP65R190CFD 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET with 190mOhm Rds On and 14A Continuous Drain Current

Définition
Numéro de pièce: IPP65R190CFD Tension drain-source (Vdss): 650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 14A (comité technique) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 4.5V @ 320µA Dissipation de puissance: 77W (comité technique)
Mettre en évidence:

650V Power MOSFET

,

190mOhm Integrated Circuit Chip

,

14A CoolMOS™ N-Channel

IPP65R190CFD Integrated Circuit Chip 650V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET Transistors Product Overview Of IPP65R190 IPP65R190 is a 650V CoolMOS™ CFD2 N-Channel Power MOSFET transistor from Infineon. This second-generation high-voltage MOSFET features an integrated fast body diode, offering improved energy efficiency and superior EMI behavior compared to competitor parts. Specifications Of IPP65R190 Parameter Value Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel Vds

Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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