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SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8

SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8
SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8

Image Grand :  SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: SIR626LDP
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: PowerPAK SO-8
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

SIR626LDP 60V MOSFET de puissance à canal N avec un courant de drain continu de 30,7 A et une résistance drain-source de 1,5 mOhm dans un boîtier PowerPAK SO-8

Définition
Numéro de pièce: SIR626LDP Série: TrenchFET® génération IV
Tension drain-source (Vdss): 80 V Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 30,7 A (Ta), 125 A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Dissipation de puissance (max): 6.25 W (Ta), 104 W (Tc)
Mettre en évidence:

MOSFET de puissance de tension drain-source 60 V

,

MOSFET à courant de drainage continu

,

30

Circuit intégré SIR626, MOSFET de puissance canal N TrenchFET Gen IV 60V dans un boîtier PowerPAK SO-8
Description du produit du SIR626

Le SIR626 est un MOSFET de puissance canal N haute performance de 60V, fabriqué à l'aide du procédé TrenchFET de quatrième génération et optimisé pour les applications nécessitant une efficacité extrême et une commutation à haute fréquence. Son avantage clé réside dans la combinaison d'une résistance à l'état passant extrêmement faible (1,5 mΩ) et d'une charge de grille optimisée (41 nC), offrant une figure de mérite (FOM) leader de l'industrie, ce qui en fait un choix idéal pour les applications telles que la conversion de puissance, la rectification synchrone et les entraînements de moteur qui exigent une haute efficacité et une haute densité de puissance.

Spécifications Du SIR626
Paramètre Valeur
Catégorie de produit MOSFETs
Technologie Si
Style de montage SMD/SMT
Boîtier / Boîtier PowerPAK-SO-8
Polarité du transistor Canal N
Nombre de canaux 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source 60 V
Id - Courant de drain continu 186 A
Rds On - Résistance drain-source 1,5 mOhms
Vgs - Tension grille-source -20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source 1 V
Qg - Charge de grille 135 nC
Température de fonctionnement minimale -55℃
Température de fonctionnement maximale +150℃
Pd - Dissipation de puissance 104 W
Mode de canal Amélioration
Configuration Simple
Temps de chute 10 ns
Transconductance directe - Min 140 S
Type de produit MOSFETs
Temps de montée 64 ns
Type de transistor 1 Canal N
Temps de retard de coupure typique 45 ns
Temps de retard de mise en marche typique 17 ns
Caractéristiques clés Du SIR626
  • MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV
  • Figure de mérite (FOM) RDS - Qg très faible
  • Optimisé pour le FOM RDS - Qoss le plus bas
  • 100% testé Rg et UIS
Applications Du SIR626
  • Rectification synchrone
  • Commutateur côté primaire
  • Convertisseur CC/CC
  • Micro-onduleur solaire
  • Commutateur d'entraînement de moteur
  • Commutateur de batterie et de charge
  • Industriel
Autres composants électroniques en stock
Numéro de pièce Boîtier
SGT1D5R10MEA En-FCLGA 5x6
SIT92112AI DFN-8
SIT92211AI QFN-48
SIT92113AI QFN-24
SIT92216AI QFN-32
SIT92110AI QFN-32
SIT92114AI DFN-8
SIT9184AA DFN-8
SIT91211 QFN-24
SIT8924BA PQFN-4
SIT8944BA PQFN-4
SIT5503AC CQFN-10
SIT9121AI SMD-6
SIT8944BM PQFN-4
SIT9346AI SMD-6
SIT8944BI PQFN-4
SIT5541AE CQFN-10
SIT5346AI CQFN-10
SIT7601AA PQFN-4
SIT8209AI PQFN-4
SIT9356AE SMD-6
SIT9346AE SMD-6
SIT5501AI CQFN-10
SIT5501A CQFN-10
SIT5501AICWU CQFN-10
SIT9375AC PQFD-6
SIT9375AI PQFD-6
SIT9375AB PQFD-6
SIT9375AE PQFD-6
SIT9501AC PQFN-6
Balise : SIR626LDP, SIR626LD, SIR626L, SIR626
Questions fréquemment posées
Q. Vos produits sont-ils d'origine ?
R : Oui, tous les produits sont d'origine, l'importation de produits neufs d'origine est notre objectif.
Q : Quels certificats possédez-vous ?
R : Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001:2015 et membre de l'ERAI.
Q : Pouvez-vous prendre en charge les commandes en petite quantité ou les échantillons ? L'échantillon est-il gratuit ?
R : Oui, nous prenons en charge les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon varie en fonction de votre commande ou de votre projet.
Q : Comment expédier ma commande ? Est-ce sûr ?
R : Nous utilisons des services express pour expédier, tels que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront bien emballés et leur sécurité sera assurée, et nous sommes responsables des dommages causés aux produits de votre commande.
Q : Qu'en est-il du délai de livraison ?
R : Nous pouvons expédier les pièces en stock dans les 5 jours ouvrables. Si nous n'avons pas de stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité de votre commande.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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Téléphone: 86-13410018555

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