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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | SIR626LDP | Série: | TrenchFET® génération IV |
|---|---|---|---|
| Tension drain-source (Vdss): | 80 V | Courant - Drain continu (Id) à 25°C: | 30,7 A (Ta), 125 A (Tc) |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: | 83 nC @ 10 V | Dissipation de puissance (max): | 6.25 W (Ta), 104 W (Tc) |
| Mettre en évidence: | MOSFET de puissance de tension drain-source 60 V,MOSFET à courant de drainage continu,30 |
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Le SIR626 est un MOSFET de puissance canal N haute performance de 60V, fabriqué à l'aide du procédé TrenchFET de quatrième génération et optimisé pour les applications nécessitant une efficacité extrême et une commutation à haute fréquence. Son avantage clé réside dans la combinaison d'une résistance à l'état passant extrêmement faible (1,5 mΩ) et d'une charge de grille optimisée (41 nC), offrant une figure de mérite (FOM) leader de l'industrie, ce qui en fait un choix idéal pour les applications telles que la conversion de puissance, la rectification synchrone et les entraînements de moteur qui exigent une haute efficacité et une haute densité de puissance.
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Catégorie de produit | MOSFETs |
| Technologie | Si |
| Style de montage | SMD/SMT |
| Boîtier / Boîtier | PowerPAK-SO-8 |
| Polarité du transistor | Canal N |
| Nombre de canaux | 1 canal |
| Vds - Tension de claquage drain-source | 60 V |
| Id - Courant de drain continu | 186 A |
| Rds On - Résistance drain-source | 1,5 mOhms |
| Vgs - Tension grille-source | -20 V, 20 V |
| Vgs th - Tension de seuil grille-source | 1 V |
| Qg - Charge de grille | 135 nC |
| Température de fonctionnement minimale | -55℃ |
| Température de fonctionnement maximale | +150℃ |
| Pd - Dissipation de puissance | 104 W |
| Mode de canal | Amélioration |
| Configuration | Simple |
| Temps de chute | 10 ns |
| Transconductance directe - Min | 140 S |
| Type de produit | MOSFETs |
| Temps de montée | 64 ns |
| Type de transistor | 1 Canal N |
| Temps de retard de coupure typique | 45 ns |
| Temps de retard de mise en marche typique | 17 ns |
| Numéro de pièce | Boîtier |
|---|---|
| SGT1D5R10MEA | En-FCLGA 5x6 |
| SIT92112AI | DFN-8 |
| SIT92211AI | QFN-48 |
| SIT92113AI | QFN-24 |
| SIT92216AI | QFN-32 |
| SIT92110AI | QFN-32 |
| SIT92114AI | DFN-8 |
| SIT9184AA | DFN-8 |
| SIT91211 | QFN-24 |
| SIT8924BA | PQFN-4 |
| SIT8944BA | PQFN-4 |
| SIT5503AC | CQFN-10 |
| SIT9121AI | SMD-6 |
| SIT8944BM | PQFN-4 |
| SIT9346AI | SMD-6 |
| SIT8944BI | PQFN-4 |
| SIT5541AE | CQFN-10 |
| SIT5346AI | CQFN-10 |
| SIT7601AA | PQFN-4 |
| SIT8209AI | PQFN-4 |
| SIT9356AE | SMD-6 |
| SIT9346AE | SMD-6 |
| SIT5501AI | CQFN-10 |
| SIT5501A | CQFN-10 |
| SIT5501AICWU | CQFN-10 |
| SIT9375AC | PQFD-6 |
| SIT9375AI | PQFD-6 |
| SIT9375AB | PQFD-6 |
| SIT9375AE | PQFD-6 |
| SIT9501AC | PQFN-6 |
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