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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | SVT2020N090SC1 | Taper: | Transistor MOSFET en carbure de silicium |
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| Emballer: | D2PAK-7 | Tension drain-source (Vdss): | 900 V |
| Mettre en évidence: | Transistor MOSFET en carbure de silicium de tension de drain à source de 900 V,Transistor MOSFET en carbure de silicium à faible RDSon,Transistor MOSFET en carbure de silicium à charge de grille ultra faible |
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Le MOSFET au carbure de silicium (SiC) SVT2020N090SC1 utilise une technologie avancée pour offrir des performances de commutation supérieures et une fiabilité accrue par rapport aux composants en silicium traditionnels. Avec une faible résistance à l'état passant et une conception de puce compacte, ce MOSFET garantit une capacitance et une charge de grille minimales, ce qui se traduit par une efficacité maximale, des fréquences de fonctionnement plus rapides, une densité de puissance accrue, une EMI réduite et des tailles de système plus petites.
| Numéro de pièce | Boîtier |
|---|---|
| PI7C9X2G312GPBNJE | 196-LBGA |
| DRV8353SMRTAT | 40-WFQFN |
| DRV8328DRUYR | 28-VFQFN |
| UCC5350SBQDRQ1 | 8-SOIC |
| DRV8353FHRTAR | 40-WFQFN |
| DRV8714SQRHARQ1 | 40-VFQFN |
| DRV8328ARUYR | 28-VFQFN |
| LMG3411R050RWHR | 32-VQFN |
| TPS59603QDSGTQ1 | 8-WFDFN |
| UCC27282QDDARQ1 | 8-SOIC |
| LMG3411R070RWHR | VQFN32 |
| DRV8106HQRHBRQ1 | 32-VFQFN |
| NCD57090CDWR2G | 8-SOIC |
| NCV57090BDWR2G | 8-SOIC |
| MAX16138ATA01/VY | 8-TDFN |
| MAX16150CWT | 6-WFBGA |
| MAX16127TC/V | 12-WFQFN |
| ADM1266ACPZ | 64-WFQFN |
| TPS35AA38AGADDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS3436CCCBGDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS35AA17AGADDFR | SOT-23-8 |
| TPS3435CAKAGDDFR | SOT-23-8 |
| TPS35CA43DACDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS36CA66BECDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37F010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS37A010122DYYRQ1 | SOT-23-14 |
| TPS37043BJOFDDFRQ1 | SOT-23-8 |
| TPS37B010122DSKR | 10-WFDFN |
| TPS38J010155DSKRQ1 | 10-WFDFN |
| TPS37A543222DSKRQ1 | 10-WFDFN |
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