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IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

Haute qualité et performances fiables: "Les composants électroniques que nous avons reçus de [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sont de haute qualité et ont montré des performances fiables dans nos appareils".

—— Richardg, d'Allemagne

Prix compétitifs: les prix offerts par le groupe sont très compétitifs, ce qui en fait un excellent choix pour nos besoins d'approvisionnement.

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Le service à la clientèle fourni par est excellent. Ils sont toujours réactifs et serviables, en veillant à ce que nos besoins soient satisfaits rapidement.

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Les prix sont excellents, la livraison est rapide et le service à la clientèle est de premier ordre.

—— Nishikawa, du Japon

Des composants fiables, une expédition rapide et un excellent support.

—— Sam, des États-Unis

Je recommande fortement Shenzhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd pour tout projet électronique!

—— Lina, d'Allemagne

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IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8

IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8
IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8

Image Grand :  IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: IQE046N08LM5
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: PG-TSON-8
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour
Contact

IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance 80V avec 4,6 mOhms RDS ((on) et température de fonctionnement de 175 °C dans le package PG-TSON-8

Définition
Numéro de pièce: IQE046N08LM5 Emballer: PG-TSON-8
Plage de température de fonctionnement: -55 °C à 175 °C Gamme VGS(ième): 1,1 V à 2,3 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (maximum): ±20 V

Puce de circuit intégré IQE046N08LM5 Transistor MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 80V dans un boîtier PG-TSON-8
Présentation du produit

L'IQE046N08LM5 est un MOSFET de puissance OptiMOS™ 5 de 80V de niveau logique, le meilleur de sa catégorie, dans un boîtier PQFN 3,3x3,3 Source-Down, offrant la résistance à l'état passant RDS(on) la plus faible de l'industrie à 25°C et des performances thermiques supérieures. L'OptiMOS™ Source-Down présente une conception révolutionnaire de puce de silicium inversée qui offre une meilleure capacité thermique, une densité de puissance plus élevée et des possibilités d'agencement améliorées. Combiné au boîtier PQFN 3,3x3,3 standard de l'industrie, l'IQE046N08LM5 est destiné aux produits SMPS à haute densité de puissance et hautes performances couramment trouvés dans les télécommunications et les serveurs de données.

Spécifications techniques
Paramètre Valeur
Polarité du transistor Canal N
Nombre de canaux 1 canal
Tension de claquage drain-source Vds 80 V
Courant de drain continu Id 99 A
Résistance drain-source Rds On 4,6 mOhms
Tension grille-source Vgs -20 V, 20 V
Tension de seuil grille-source Vgs th 2,3 V
Charge de grille Qg 38 nC
Température minimale de fonctionnement -55°C
Température maximale de fonctionnement +175°C
Dissipation de puissance Pd 100 W
Mode de canal Amélioration
Configuration Simple
Temps de chute 4,4 ns
Transconductance directe - Min 62 S
Type de produit MOSFETs
Temps de montée 2,6 ns
Temps de retard de coupure typique 18 ns
Temps de retard de mise en marche typique 5,2 ns
Caractéristiques principales
  • Le niveau logique permet un Qrr plus faible
  • RDS(on) réduit jusqu'à 30%
  • RthJC amélioré par rapport au PQFN
  • Grille centrale optimisée pour la mise en parallèle
Avantages du produit
  • Permet la plus haute densité de puissance
  • Performances thermiques supérieures
  • Agencement efficace pour l'utilisation de l'espace
  • Mise en parallèle simplifiée des MOSFETs
Applications
  • Applications industrielles
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Questions fréquemment posées
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Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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