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PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
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PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A

PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A
PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A

Image Grand :  PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: PSMN2R4-30YLD
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: SOT-669-5
Délai de livraison: 3-5 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 10 000 pièces par jour

PSMN2R4-30YLD Transistor MOSFET N-Channel avec une tension de dégagement à la source de 30 V, 2,4 mΩ Rds On et un courant de dégagement continu de 100 A

Définition
Numéro de pièce: PSMN2R4-30YLD Tension drain-source (Vdss): 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C: 100A (comité technique) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs(th) (maximum) @ Id: 2,2 V à 1 mA

Puce de circuit intégré PSMN2R4-30YLD, canal N, 30V, 2,4 mΩ, niveau logique, transistors MOSFET
Présentation du produit

PSMN2R4-30YLD Commande de porte de niveau logique MOSFET en mode d'amélioration canal N dans un boîtier LFPAK56. La gamme NextPowerS3 utilisant la technologie unique « SchottkyPlus » offre un rendement élevé et des performances à faible pointe généralement associées aux MOSFET avec une diode Schottky ou de type Schottky intégrée, mais sans courant de fuite élevé problématique. NextPowerS3 est particulièrement adapté aux applications à haut rendement à des fréquences de commutation élevées.

Spécifications techniques
Paramètre Valeur
Polarité des transistors Canal N
Nombre de canaux 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source 30 V
Id - Courant de vidange continu 100 A
Rds On - Résistance drain-source 2,4 mOhms
Vgs - Tension grille-source -20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source 1,2 V
Qg - Charge de porte 31,3 NC
Température de fonctionnement minimale -55 °C
Température de fonctionnement maximale +175 °C
Pd - Dissipation de puissance 106 W
Mode canal Renforcement
Configuration Célibataire
Temps d'automne 13,9 ns
Type de produit MOSFET
Temps de montée 27,5 ns
Type de transistor 1 canal N
Délai d'arrêt typique 17,4 ns
Délai d'activation typique 16,3 ns
Numéro de pièce Alias 934067965115
Poids unitaire 91,420mg
Principales fonctionnalités
  • QG, QGD et QOSS ultra faibles pour une efficacité système élevée, en particulier à des fréquences de commutation plus élevées
  • Commutation ultra-rapide avec récupération logicielle ; facteur s > 1
  • Faibles pointes et sonneries pour les conceptions à faible EMI
  • Technologie unique « SchottkyPlus » ; Performances de type Schottky avec fuite < 1 µA à 25 °C
  • Optimisé pour l'entraînement de portail 4,5 V
  • Faible inductance et résistance parasite
  • Clip de haute fiabilité collé et matrice de soudure attachant le boîtier Power SO8 ; sans colle, sans fil de liaison, qualifié à 175 °C
  • Soudable à la vague ; Fils exposés pour une inspection visuelle optimale des soudures
Applications
  • Solutions DC-to-DC embarquées pour serveurs et télécommunications
  • Rectification synchrone côté secondaire dans les applications de télécommunications
  • Modules régulateurs de tension (VRM)
  • Modules de point de chargement (POL)
  • Alimentation électrique pour les composants V-core, ASIC, DDR, GPU, VGA et système
  • Commande de moteur brossé et sans balais
Produits connexes
Numéro de pièce Emballer
R7S910007CBA FBGA-320
R7S910026CBA FBGA-320
R7S910027CBA FBGA-320
R7S910025CBA FBGA-320
R7S910036CBA FBGA-320
R7S910028CBA FBGA-320
R7S910015CBA FBGA-320
R7S910016CBA FBGA-320
R7S910018CBA FBGA-320
R7S910017CBA FBGA-320
Foire aux questions
Vos produits sont-ils originaux ?

Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.

Quels certificats possédez-vous ?

Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001 :2015 et membre de l'ERAI.

Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon en petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?

Oui, nous acceptons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.

Comment expédier ma commande ? Est-ce sécuritaire?

Nous utilisons express pour expédier, tel que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront bien emballés et garantiront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés aux produits par votre commande.

Qu'en est-il du délai de livraison ?

Nous pouvons expédier les pièces en stock sous 5 jours ouvrés. Si vous n'avez pas de stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité commandée.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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