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Aperçu ProduitsPuce de circuit intégré

STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

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Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

Service professionnel et rapide, prix acceptables des marchandises. excellente communication, produit comme prévu. Je recommande fortement ce fournisseur.

—— Luis, des États-Unis

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STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance
STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Image Grand :  STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: STP240N10F7
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: TO-220-3​
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union
Contact

STP240N10F7 Power MOSFET Transistor with 100V Drain-Source Voltage 300W Power Dissipation and Ultra Low On-Resistance

Définition
Numéro de pièce: STP240N10F7 Type FET: Channel n
Tension drain-source (Vdss): 100 V Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs: 176 nC à 10 V
Dissipation de puissance (max): 300W (comité technique) Température de fonctionnement: -55°C à 175°C (TJ)

STP240N10F7 Integrated Circuit Chip 100V STripFET F7 Power MOSFET Transistors TO-220-3
Product Overview

STP240N10F7 N-channel Power MOSFET utilizes the STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Specifications
Parameter Value
Product Category MOSFETs
Technology Si
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V
Id - Continuous Drain Current 110 A
Rds On - Drain-Source Resistance 3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage -20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V
Qg - Gate Charge 160 nC
Minimum Operating Temperature -55 ℃
Maximum Operating Temperature +175 ℃
Pd - Power Dissipation 300 W
Channel Mode Enhancement
Tradename STripFET
Fall Time 112 ns
Product Type MOSFETs
Rise Time 139 ns
Subcategory Transistors
Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 110 ns
Typical Turn-On Delay Time 49 ns
Key Features
  • Ultra low on-resistance
  • 100% avalanche tested
Applications
  • High current switching applications
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Notation globale

5.0
Basé sur 50 avis pour ce fournisseur

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100%
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Toutes les critiques

R
RUBY
Canada Mar 31.2026
Il est utile. (99)
I received the package today. The goods are as described by the seller.DC:2025+ New and Original. This was a very satisfying shopping experience.
Produit Tag:

Puce 24-PQFN de circuit intégré,

Linéaire à canal double de TUSB1002ARGER,

Puces intégrées QFN24

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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