Circuit intégré LMG1025QDEERQ1, pilote GaN et MOSFET basse tension automobile, boîtier WSON-6

Le LMG1025QDEERQ1 est un pilote de transistor à effet de champ GaN à enrichissement bas côté à canal unique et un pilote MOSFET à niveau logique pour les applications automobiles à haute fréquence de commutation. La capacité d'impulsion étroite, les spécifications de commutation rapides et la faible distorsion d'impulsion se combinent pour améliorer considérablement les performances des LiDAR, ToF et convertisseurs de puissance.

1,25 ns de largeur d'impulsion de sortie permettent des impulsions de diode plus puissantes et sans danger pour les yeux. Ceci, combiné à une distorsion de 300 ns, conduit à des systèmes LiDAR/ToF plus précis et à plus longue portée. Le délai de propagation de 2,9 ns améliore considérablement le temps de réponse de la boucle de commande et donc les performances globales des convertisseurs de puissance. La sortie divisée permet d'ajuster indépendamment la force de commande et le timing via des résistances externes entre OUTH, OUTL et la grille du FET.

• 1,25 ns de largeur d'impulsion d'entrée minimale typique
• 2,6 ns de délai de propagation montant typique
• 2,9 ns de délai de propagation descendant typique
• 300 ps de distorsion d'impulsion typique
• Courant de pull-up indépendant de 7 A et de pull-down de 5 A
• Temps de montée typique de 650 ps (charge de 220 pF)
• Temps de descente typique de 850 ps (charge de 220 pF)
• Boîtier QFN de 2 mm x 2 mm
• Entrées inverseuses et non-inverseuses
• Protection UVLO et contre la surchauffe
• Alimentation unique de 5 V

• LiDAR automobile
• Surveillance du conducteur
• Capteur de détection d'occupants de véhicule
• Convertisseur CC/CC

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