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BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
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BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3

BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3
BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3

Image Grand :  BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: BSS169
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: Le code de conduite est le PG-SOT23-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, LC, Western Union

BSS169 Puce de circuit intégré 100V 170mA Mode d'épuisement des canaux N MOSFET Transistors PG-SOT23-3

Définition
Numéro de pièce: BSS169 Polarité de transistor: Channel n
Vds - Tension de claquage drain-source: 100 V Id - Courant de vidange continu: 170 mA
Rds On - Résistance drain-source: 2.9 Ohms Qg - Charge de porte: 2,1 OR
Mettre en évidence:

Transistor MOSFET à canal N BSS169

,

MOSFET en mode d'épuisement de 100 V

,

Puce de circuit intégré SOT23-3

Circuit intégré BSS169 100V 170mA MOSFET à canal N à mode de déplétion PG-SOT23-3
Le BSS169 est un MOSFET à petit signal à canal N, à mode de déplétion, de 100V et 170mA, dans un boîtier SOT-23, conçu spécifiquement pour des applications telles que les sources de courant constant, la protection contre les surtensions et le démarrage des alimentations.
Spécifications du produit
Série SIPMOS®
Type de FET Canal N, Mode de déplétion
Technologie MOSFET (Métal Oxyde)
Tension Drain-Source (Vdss) 100 V
Courant - Drain continu (Id) @ 25°C 170mA (Ta)
Tension de commande (Rds On Max, Rds On Min) 0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 50µA
Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs 2.8 nC @ 7 V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 68 pF @ 25 V
Dissipation de puissance (Max) 360mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier du composant fournisseur PG-SOT23
Boîtier / Étui TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Caractéristiques principales
  • Canal N à mode de déplétion
  • Classé dv/dt
  • Disponible avec indicateur V GS(th) sur bobine
  • Sans halogène
  • Plomb sans Pb; Conforme RoHS
  • Qualifié selon AEC Q101
Applications
  • IBC moyenne tension (48 V)
  • Adaptateurs secteur et chargeurs
  • Solutions d'alimentation sur rail DIN
  • Entraînement moteur à usage général
Composants électroniques connexes en stock
Numéro de pièce Boîtier
LCMXO2-1200ZE-2TG100I 100-TQFP
LCMXO3L-2100C-6BG256C 256-CABGA
LCMXO3L-2100C-5BG256I 256-CABGA
LCMXO2-2000HC-5MG132C 132-CSPBGA
LCMXO2-2000HE-5MG132C 132-CSPBGA
LCMXO3L-4300E-6MG324C 324-CSFBGA
LCMXO2-1200ZE-3MG132I 132-CSPBGA
LCMXO3LF-1300C-6BG256C 256-CABGA
LCMXO3L-6900E-5MG256I 256-CSFBGA
LCMXO3L-6900E-6MG256C 256-VFBGA
Questions fréquemment posées
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Oui, tous les produits sont d'origine, l'importation de produits neufs est notre objectif.
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Toutes les critiques

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Hieu
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Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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