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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | BSS169 | Polarité de transistor: | Channel n |
|---|---|---|---|
| Vds - Tension de claquage drain-source: | 100 V | Id - Courant de vidange continu: | 170 mA |
| Rds On - Résistance drain-source: | 2.9 Ohms | Qg - Charge de porte: | 2,1 OR |
| Mettre en évidence: | Transistor MOSFET à canal N BSS169,MOSFET en mode d'épuisement de 100 V,Puce de circuit intégré SOT23-3 |
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| Série | SIPMOS® |
| Type de FET | Canal N, Mode de déplétion |
| Technologie | MOSFET (Métal Oxyde) |
| Tension Drain-Source (Vdss) | 100 V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25°C | 170mA (Ta) |
| Tension de commande (Rds On Max, Rds On Min) | 0V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 170mA, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
| Charge de grille (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8 nC @ 7 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 68 pF @ 25 V |
| Dissipation de puissance (Max) | 360mW (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Boîtier du composant fournisseur | PG-SOT23 |
| Boîtier / Étui | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Numéro de pièce | Boîtier |
|---|---|
| LCMXO2-1200ZE-2TG100I | 100-TQFP |
| LCMXO3L-2100C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-2100C-5BG256I | 256-CABGA |
| LCMXO2-2000HC-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO2-2000HE-5MG132C | 132-CSPBGA |
| LCMXO3L-4300E-6MG324C | 324-CSFBGA |
| LCMXO2-1200ZE-3MG132I | 132-CSPBGA |
| LCMXO3LF-1300C-6BG256C | 256-CABGA |
| LCMXO3L-6900E-5MG256I | 256-CSFBGA |
| LCMXO3L-6900E-6MG256C | 256-VFBGA |
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Télécopieur: 86-0755-83957753
Notation globale
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