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ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

Certificat
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
La Chine ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. certifications
Examens de client
A été embarqué très rapidement, et très utile, nouveau et original, recommanderait fortement.

—— Nishikawa, du Japon

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ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms
ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

Image Grand :  ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Original Factory
Certification: Lead free / RoHS Compliant
Numéro de modèle: ISC034N08NM7
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: Contact for Sample
Détails d'emballage: PG-TDSON-8
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T, L/C, Western Union

ISC034N08NM7 Transistor à canal N MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 avec tension drain-source de 80 V, courant de drain continu de 122 A et résistance drain-source de 3,4 mOhms

Définition
Numéro de pièce: ISC034N08NM7 Polarité des transistors :: Channel n
Nombre de canaux :: 1 canal Vds - Tension de claquage drain-source :: 80 V
Id - Courant de vidange continu :: 122 A Rds On - Résistance drain-source :: 3.4 mOhms
Mettre en évidence:

MOSFET de puissance de tension de source de drain 80 V

,

transistor à canal N à courant de drainage continu 122 A

,

puce de circuit intégré de résistance de source de drain de 3

Puce de circuit intégré ISC034N08NM7 OptiMOS™ 7 transistors MOSFET de puissance à canaux N
ISC034N08NM7 OptiMOS™ 7 80 V est la dernière technologie établissant une nouvelle norme industrielle pour un équilibre parfait entre efficacité énergétique, performances et rentabilité.
Spécifications techniques
Paramètre Valeur
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 7V, 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs 3,4 mOhms à 50 A, 10 V
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC à 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3 100 pF à 40 V
Dissipation de puissance (maximum) 3 W (Ta), 115 W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Principales fonctionnalités
  • Technologie silicium haute performance
  • Entraînement de portail de niveau normal
  • 175°C évalué
  • Qualification industrielle
Avantages en termes de performances
>32 % de FOM améliorés par rapport à OptiMOS™ 5
Performances de commutation améliorées par rapport à OptiMOS™ 5
Facilité d'utilisation
Diode à corps mou
Performances fiables et robustes
Applications
  • Énergies renouvelables
  • Photovoltaïque
  • Contrôle du moteur
  • Conversion de puissance DC-DC
Composants électroniques associés
Numéro de pièce Emballer
NXH240B120H3Q1S1G-RMODULE
NXH400N100H4Q2F2SG-RMODULE
NCD57255DR2G16-SOIC
NCV57256DR2G16-SOIC
HDC3020DEFR8-VFDFN
DRV5055A4QDBZRSOT-23-3
DRV5032DUDMRR4-XFDFN
TMP451JQDQFRQ18-WFDFN
TMAG5111B2AQDBVRQ1SOT-23-5
AMC6821SQDBQRQ116-SSOP
MSP430FR2676TRHAR40-VQFN
TPS16416DRCR10-VFDFN
TPS16414DRCR10-VFDFN
TPS16417DRCR10-VFDFN
TPS259813LRPWRVQFN-10
TPS25972ARPWR10-VFQFN
TPS25961DRVR6-WDFN
TPS25970LRPWR10-VFQFN
TPS259802ONRGER24-VFQFN
TPS259803ONRGER24-VFQFN
TPS26622DRCR10-VFDFN
TPS26625DRCR10-VFDFN
TPS26400RHFR24-VFQFN
TPS259474LRPWR10-VFQFN
TPS259461ARPWR10-VFQFN
TPS25974ARPWR10-VFQFN
TPS259474ARPWR10-VFQFN
TPS16530PWPR20-HTSSOP
TPS259807ONRGER24-VQFN
TPS259472LRPWR10-VFQFN
Foire aux questions
Vos produits sont-ils originaux ?
Oui, tous les produits sont originaux, la nouvelle importation originale est notre objectif.
Quels certificats possédez-vous ?
Nous sommes une entreprise certifiée ISO 9001 :2015 et membre de l'ERAI.
Pouvez-vous prendre en charge une commande ou un échantillon en petite quantité ? L'échantillon est-il gratuit ?
Oui, nous acceptons les commandes d'échantillons et les petites commandes. Le coût de l'échantillon est différent selon votre commande ou votre projet.
Comment expédier ma commande ? Est-ce sécuritaire?
Nous utilisons express pour expédier, tel que DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS. Nous pouvons également utiliser votre transitaire suggéré. Les produits seront bien emballés et garantiront la sécurité et nous sommes responsables des dommages causés aux produits par votre commande.
Qu'en est-il du délai de livraison ?
Nous pouvons expédier les pièces en stock sous 5 jours ouvrés. Si vous n'avez pas de stock, nous vous confirmerons le délai de livraison en fonction de la quantité commandée.

Coordonnées
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Personne à contacter: Sales Manager

Téléphone: 86-13410018555

Télécopieur: 86-0755-83957753

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