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Détails sur le produit:
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| Numéro de pièce: | IPDQ60R055CM8 | DI (@ TC=25°C) max: | 45 A |
|---|---|---|---|
| ID (@25°C) maximum: | 45 A | IDpulse (@25°C) max: | 148 A |
| RDS (activé) (@ Tj = 25°C): | 45,83315 mΩ | Ptot (@25°C) maximum: | 236 W |
| Mettre en évidence: | Transistor MOSFET de puissance 600 V,Puce de circuit intégré 45A,Charge de grille réduite CoolMOS™ 8 |
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L'IPDQ60R055CM8 est un transistor MOSFET CoolMOSTM 8 de puissance N-Channel 600V présentant des améliorations significatives des performances par rapport aux générations précédentes.Ce semi-conducteur de puissance avancée offre une charge de passerelle (Qg) réduite de 20% par rapport au CFD7, une réduction de 12% des pertes liées à l'arrêt (Eoss) par rapport aux CFD7, une réduction de 3% des frais de récupération inverse (Qrr) par rapport aux CFD7 et le temps de récupération inverse (trr) le plus court disponible sur le marché.
| Paramètre | Valeur |
|---|---|
| Indice de température (@ TC=25°C) max. | 45 A |
| ID (@25°C) maximum | 45 A |
| Puls de l'appareil électronique | 148 A |
| Montage | TMS |
| Température de fonctionnement (Tj) | -55 °C à 150 °C |
| Le paquet | Q-DPAK |
| Polarité | N |
| Ptot (@25°C) maximum | 236 W |
| QG (type @10V) | 51 n.C. |
| RDS (allumé) (@ Tj = 25°C) | 450,83315 mΩ |
| VDS max | 600 V ou plus |
| VGS (th) | 4.2 V |
Personne à contacter: Sales Manager
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Télécopieur: 86-0755-83957753